
长鑫科技凭什么在三星、SK海力士、美光三巨头筑起的专利铁幕下撕开一道缝隙?一家破产十七年的德国存储巨头奇梦达,为何会成为这场翻身仗的关键钥匙?
回望半导体产业的发展史,后进者如何在巨头夹缝中求生,从来都不是单靠技术攻坚就能解决的问题。
近年出版的《从边缘到核心:半导体如何成为世界的心脏》一书,就深入梳理了这条"以小博大"的产业路径,其中关于DRAM产业的兴衰与整并往事,恰好为今日长鑫科技的突围之路,提供了一面绝佳的镜子。

书中作者史钦泰与陈添枝指出,最初VLSI计划的设定就是不做DRAM,因为岛内产业结构不适合做DRAM。但民间开始投资后,官方也跟着投入,后来演变为两兆双星计划。这实际上是产业压力所致。
工研院是研究单位,不是生产单位,研发一项技术需要四五年,与外界期待存在认知差距,容易产生冲突。DRAM产业走过几个循环,从两兆双星到跟着尔必达(Elpida),最终整体被美光整并。
如今美光成为岛内第一大外商,且因台积电CoWoS制程需要大量HBM高频宽记忆体,美光将岛内据点变为其HBM供应中心。

当年看似亏损巨大的DRAM投资,人才与技术留了下来,最终成为台积电重要供应商,也显示了岛内在制造上的优势。
关于DRAM整并案的功亏一篑,陈添枝详细说明经过。2009年尔必达濒临破产时,岛内基金准备了1000亿元,欲将几家DRAM公司与日本尔必达整并为一家日方合作的记忆体公司,以对抗韩国系。
尔必达社长(去年已过世)曾到岛内洽谈,双方在企业层面已达共识:50对50股权、东京与台北双上市、研发与制造共享。台方不做单纯代工,坚持研发能量部分留在岛内。这些条件都获尔必达同意。

但后续传出的消息是日本方面要求尔必达最多只能卖10%股权,日方认为既然不让台方买,就必须自行救援尔必达,随后进行注资与融资,但资金不足,也未真正改变其体质。
到2012年,日方又要求尔必达自寻partner,最终尔必达在2012年破产,卖给美光。此时岛内DRAM产业已经垮光,失去机会。
日方态度反覆是失败的一大关键,岛内也有反对声音,因美光当时同样岌岌可危,也曾接洽参与。今日的格局等于是三方最终由美光单独整合。若当年整并成功,如今就会是台日联盟对抗韩国系。

这中间还夹杂了美光老板坠机身亡的意外,对谈判造成冲击。岛内原有的代工型DRAM厂随之全数消失,剩下的是具备自主研发能力的华邦、旺宏等。
华邦从一开始就有研发人员,团队本就出身工研院,走利基产品与IDM模式。结论在于,无论如何仍须掌握技术,靠他人技术授权的模式难以成功。
当年也不能完全视为失败,毕竟放眼全球的第一轮DRAM厂商,如今仍存活的除三星、SK海力士、美光外,就只剩岛内这几家利基厂商,连三星都很危险。

岛内的Niche路线仍找到了生存之道。至于产业政策的启示,两位作者观察到,美国经济学界过去视Industrial Policy为禁忌,如今则蔚为主流,CHIPS Act就是明证。
陈添枝认为,产业政策在产业处于边缘时较有效;当产业规模变大后,官方与民间的冲突面会增大。早期以产业政策扶植,产业成形后官方之手便尽量退出。
过去所谓几年计划,民间只当参考,仍在自由经济下自寻定位。但在教育政策等基础事项上,政府政策依然关键。对于CMOS当年的选择,也并非绝对先知。

IBM曾认为CMOS并非最好,RCA因太空计划需省电才采用此技术。从商业化角度看,CMOS最费钱、面积最大。
当年的决策者胡定华等人常说这是判断加胆量。当年抛砖引玉的体制计划文件显示,规划者基本上仍是自由市场经济思维,认为政府应出钱协助技术引进,但技术引进后就应交由民间发挥。
产业政策的介入其实相当有限:技术引进花钱,台积电、联电等民间不愿投资的项目由政府出资,但每次出资都有限度,且从不出第二次钱。

联电就是如此,工研院从未再给第二次经费。产业政策的执行原则符合市场运作,是成功的关键。
不过,如今盖一座晶圆厂动辄数百亿美元,若政府不补助,纯民营已难以承担。日本、德国、美国皆如此,Intel没有政府支撑就难以维系。
回望这段DRAM整并的往事,可以更清楚地看见长鑫科技今日的破局逻辑。

2026年7月27日,长鑫科技登陆科创板,市值突破3.3万亿元,超越工商银行成为A股新股王。真正让三巨头坐不住的,并非营收数字,而是它手里那张来自破产十七年的德国企业奇梦达的牌。
奇梦达曾是全球第二大DRAM供应商,2009年破产后留下数以千计的DRAM专利,被英飞凌回购后于2015年打包售予加拿大Polaris公司,交易价约3000万欧元。
2019年,长鑫通过专利授权,获取奇梦达总计2.8TB的全套DRAM技术文档,以3000万欧元换来7000多项专利的实施许可。

这笔交易真正值钱之处在于合法通道——三巨头可以用专利诉讼阻击长鑫,但长鑫手中已有奇梦达牌的盾牌,其技术路线有专利授权,合法合规。
这正是知识产权层面的"田忌赛马":无法在专利数量上硬拼,就用3000万欧元买下破产巨头的全部专利遗产,在三巨头的专利铁幕上撕开一道合法缝隙。
截至2025年6月30日,长鑫累计拥有5589项境内外专利。更关键的是,2025年长鑫在国际电子器件大会上展示"全球首个"BEOL集成多层堆叠DRAM架构,将存储单元的构建从前道工艺挪到后道工序,等于换了一条三巨头尚未跑通的赛道。

若这条路最终量产,DRAM产业的竞争规则将被重写——不再是谁能把线宽做得更小,而是谁能把楼盖得更高。
当年岛内DRAM整并功亏一篑的遗憾,或许正由这家从零起步的大陆企业,以另一种方式补上了历史的答卷。
更新时间:2026-07-31
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