下一代重磅存储技术，剑指2027年量产！

随着人工智能大模型从训练阶段加速迈向推理应用，存储系统的性能瓶颈日益凸显：既要提供高带宽以匹配算力需求，又要具备海量容量以承载千亿级参数，同时还需严格控制功耗与成本。在这一背景下，一种名为HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）的新型存储技术正成为行业的关注焦点。近期，各大存储巨头及供应链企业正加速推动HBF的研发、标准化与商业化落地，目标直指2027年量产。

闪迪加速冲刺，剑指2027年量产

作为HBF概念的早期提出者，闪迪（SanDisk）正全力推进该技术的产业化进程。据《ETNews》及《The Bell》报道，闪迪已开始与材料、组件及设备供应商接洽，着手构建完整的HBF供应链生态，并计划打造原型生产线。业内预计，该试产线将在2026年下半年竣工并于年底前投产。为抢占市场先机，闪迪正大力压缩研发周期，有望将原定开发时间表提前约半年，力争在2027年实现HBF的全面商业化。

在生产基地选址方面，日本成为闪迪的热门候选地。据悉，闪迪正与日本本土企业探讨合作，目标是在2026年下半年引入HBF关键设备，极有可能将原型产线乃至后续量产基地设在日本。这一布局一方面看中了日本在半导体材料与精密制造领域的深厚积累，另一方面也有助于闪迪贴近亚洲主要AI设备客户群。

闪迪将HBF定义为介于超高速HBM（高带宽存储器）与大容量SSD之间的全新存储层级，旨在解决AI推理场景下高容量数据处理与功耗效率难以兼顾的结构性矛盾。通过垂直堆叠NAND闪存，HBF能够在维持高带宽的同时提供约10倍于HBM的存储容量，尤其适合大模型参数的温冷数据存储与快速调用。闪迪计划于今年下半年推出HBF原型产品，并已开始与材料、零部件及设备合作伙伴接洽原型产线生态，商业化目标坚定地锁定在2027年。

HBF技术解析：架构、性能与应用场景

HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）是一种借鉴HBM的3D堆叠架构、但以3D NAND闪存替代DRAM作为存储介质的创新型存储技术。其核心技术原理包括：通过硅通孔（TSV）或CMOS键合阵列（CBA）技术垂直堆叠多层NAND芯片，并搭配专用逻辑控制芯片实现并行数据访问。

在性能方面，HBF展现出显著优势。单堆栈容量可达512GB，8堆栈总容量可达4TB，是同成本下HBM容量的8至16倍；带宽在1.6TB/s至3.2TB/s之间，接近HBM水平；同时功耗较低，无需像DRAM那样持续供电刷新，且数据断电不丢失。这些特性使HBF特别适用于AI推理、大模型参数存储、边缘计算等读多写少的场景，与HBM形成互补——HBM处理高速实时数据，HBF则负责海量温冷数据的驻留与调用。

在制造工艺方面，由于HBF与目前主流的HBM具有高度相似性，现有的HBM供应链预计将在这场技术迭代中延续优势。例如，用于实现芯片层间信号传输的硅通孔（TSV）技术，以及关键的键合材料与贴装设备，预计仍将由目前在HBM市场占据主导地位的企业把控。与此同时，材料端亦出现新动向。据《Dealsite》披露，韩国Hanul Materials Science旗下子公司JK Materials近日宣布，已完成用于HBF的高性能聚合物开发工作，并已向主要客户供货。该公司的高性能KrF聚合物是实现数百层NAND闪存堆叠所需的关键化学材料。

全球存储巨头竞逐HBF赛道

目前，全球存储巨头正以不同节奏切入HBF赛道。

闪迪不仅是HBF概念的提出者，也是当前推进最为激进的厂商之一，计划2026年下半年推出原型产品，2027年实现商业化。生产基地倾向日本，原型产线预计2026年下半年竣工并投入运营。

SK海力士方面，2026年2月，SK海力士与闪迪公司联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF的全球标准化战略。两家公司将分发挥双方在HBM与NAND闪存领域长期积累的设计能力、封装技术及大规模量产经验，率先推动HBF的标准化与产品化进程。

三星电子方面，虽然其尚未像SK海力士那样高调宣布进军HBF领域，但技术储备不容小觑。据媒体报道，三星近期收购了一系列相关专利，积极拓展技术储备。种种迹象表明，三星正稳步探索并扩大其在HBF领域的业务版图。据公开信息，三星已启动HBF产品早期概念设计，计划2027年底至2028年初将HBF技术集成到AI产品中，同时也在推进HBM4和CXL内存技术，形成多路径存储布局。

总体来看，闪迪与SK海力士处于联盟推进的第一梯队，主导标准化进程；三星则采取稳扎稳打、暗中蓄力的策略，凭借深厚的技术积累伺机入局。供应链方面，原有HBM材料与设备厂商有望将优势平移至HBF领域，同时新的材料供应商如JK Materials也已切入，为HBF所需的高性能聚合物提供支持。

结 语

从闪迪的加速冲刺，到SK海力士主导的标准化联盟，再到三星的蓄力潜伏，HBF正从概念走向现实。这一技术精准切中了AI推理时代对“高带宽+大容量+低功耗”存储方案的结构性需求，有望在2027年左右开启商业化元年。

当然，HBF的规模化落地仍面临诸多挑战：NAND闪存的3D堆叠良率、TSV工艺的成本控制、与现有AI计算生态的适配等问题尚需逐步解决。但可以确定的是，随着全球存储巨头与供应链企业的持续投入，HBF极有可能成为继HBM之后又一改变AI存储格局的颠覆性技术。未来几年，将是这场存储技术竞赛的关键窗口期。