俄罗斯：我们拥有EUV光刻机核心技术，会比中国更快造出光刻机！

2025年9月，俄罗斯一位叫Dmitrii Kuznetsov的科学博士公开表示，他们拥有了EUV光刻机的核心技术，而且会比中国更快造出完整的EUV光刻机。

要知道EUV光刻机可是造高端芯片的“核心装备”，咱们现在用的智能手机、电脑、5G设备，里面的高端芯片，都得靠它来制造。

目前全世界能造出EUV光刻机的，只有荷兰的ASML一家，其他国家都还在努力追赶，包括中国和俄罗斯，这东西的技术难度，堪称“现代工业皇冠上的明珠”。

俄罗斯哪来的底气，中国真的会晚他一步吗？

俄罗斯的底气，主要来自苏联时期的技术积累。

早在上世纪七十年代，苏联就开始研究EUV光刻的基本原理，当时搞出来的多层镜制造方法，后来还被国际上广泛使用，连荷兰ASML都受益过。

这种多层镜，就是EUV光刻机里最关键的部件之一，相当于“眼睛”，能精准反射极紫外光，俄罗斯在这方面的技术底子确实很扎实。

除了多层镜技术，俄罗斯在等离子体光源上也有不少积累，比如同步辐射加速器和准分子激光方面的经验，这些都是EUV光刻机的核心技术。

而且在2025年，俄罗斯已经造出了第一台国产光刻机，虽然精度不高，只能造350纳米制程的芯片，跟EUV光刻机差得很远，但这也证明他们已经能搭建起本土的光刻机产业链，不是纸上谈兵。

俄罗斯还公布了自己的EUV研发路线图，计划分三步走，从2026年到2036年，用十年时间，逐步从40纳米级光刻机，升级到10纳米以下的EUV光刻机。

他们不走荷兰ASML的老路，选择了一条更独特的技术路线，用11.2纳米波长的极紫外光，搭配氙气等离子体光源，这样能避免一些技术专利壁垒，还能减少设备维护的麻烦，理论上更简单、成本更低。

不过话说回来，俄罗斯虽然有技术底子，但面临的困难也不小。

首先，他们目前能造的光刻机，精度还停留在350纳米，跟EUV光刻机需要的纳米级精度，差了好几个档次，相当于刚学会走路，就要冲刺跑步。

其次，他们选择的11.2纳米波长技术路线，虽然独特，但目前全球EUV产业都遵循13.5纳米的标准，相关的配套产业，比如专用光刻胶、镜片抛光工具，都得俄罗斯从零开始研发，这需要大量的时间和资金。

另外，俄罗斯的技术大多还停留在实验室阶段，没有经过产业化验证，能不能真正造出来、造出来能不能用，还是个未知数。

再说说咱们中国的情况。这些年，咱们一直在全力攻关光刻机技术，而且进展很稳，一步一个脚印。

根据2026年3月的官方消息，咱们的28纳米沉浸式光刻机已经通过验证，正式量产交付，核心部件国产化率超过90%，能满足大部分民用芯片的需求。

14纳米光刻机也完成了核心技术攻关，进入了样机调试阶段，很快就能投入使用。

在EUV光刻机方面，咱们也没有落后，核心光学系统、高精度双工件台都取得了重大突破，上海微电子的EUV原型机已经进入试产阶段，预计2026年第三季度就能完成量产验证。

更重要的是，咱们已经搭建起了完整的光刻机配套产业链，从光刻胶、激光光源，到精密零部件，都实现了自主可控，不用依赖国外，这是咱们最大的优势。

比如中芯国际，已经能用咱们自己的DUV光刻机，通过多重曝光工艺，造出7纳米的芯片，良率还很稳定，能满足华为等企业的需求。

对比下来，咱们就能清楚地看到，俄罗斯和中国，都在光刻机领域奋力突围，但双方的优势和短板各不相同。

俄罗斯的优势是有深厚的核心技术积累，选择的技术路线能避开专利壁垒，而且有政府的巨额资金支持；但短板是产业化基础薄弱，

配套产业链不完善，研发计划跨度长，要到2036年才能实现10纳米以下制程。

咱们中国的优势是产业链完整，进展稳步推进，从成熟制程到先进制程，一步步突破，而且已经有了实际的量产成果，能满足市场需求；短板是跟荷兰ASML还有一定的技术差距，EUV整机还没实现商业化量产。

但咱们的研发速度很快，按照目前的进度，很可能在俄罗斯实现目标之前，就造出成熟的EUV光刻机。

其实不管是俄罗斯还是中国，研发EUV光刻机，都是为了摆脱国外的技术封锁，实现芯片自主可控。

这两条路都不好走，光刻机的研发，需要成千上万的精密零部件协同，需要大量的资金和人才投入，不是一朝一夕就能完成的。

俄罗斯敢说比中国更快，有他们的底气，但也面临着诸多挑战；咱们中国不骄不躁，稳步推进，反而更有优势。

俄罗斯拥有EUV核心技术的说法，并不是吹牛，他们确实有扎实的技术积累，但要造出完整的EUV光刻机，还有很长的路要走。

咱们中国虽然起步稍晚，但凭借完整的产业链和稳步的研发进度，未必会比俄罗斯慢。

最终谁能先造出EUV光刻机，关键看后续的产业化推进和技术突破，让我们一起期待双方的进展，也为咱们中国的科技突破加油。