美媒：中国又开始＂弯道超车＂，不攻克光刻机也能解决芯片难题？

2026年4月22日，美国商务部长卢特尼克在参议院听证会上承认，中国没有采购任何H200芯片，正在全面转向自主发展路线。这句话背后的分量，比任何制裁法案都重。

几乎同一时间，美国国会于2026年4月2日提出MATCH法案，由参众两院跨党派议员正式发起。这份被外界称为＂史上最严＂的芯片管控法案，要求盟友150天内同步管制，扩大DUV光刻机等设备禁售范围，并针对长鑫存储、华虹、华为、中芯、长江存储等企业加强限制。

封锁一轮比一轮狠，但奇怪的是，中国这边反而越打越精神。

原因在于，中国科研团队正在做一件很多人还没完全听懂的事——用一种全新的材料来做芯片，而不是继续在传统硅芯片的路上跟别人死磕。

过去半个世纪，芯片性能的提升靠的是一件事：把芯片里的晶体管做得越来越小。从几十微米做到几十纳米，再到如今的3纳米，整个产业都在拼命＂缩＂。但问题是，硅这种材料快到头了。

做得太小之后，电子会＂不听话＂，到处漏电、发热，芯片越来越不稳定。而且想做到7纳米以下，必须用一种叫EUV的极紫外光刻机，这个设备被荷兰ASML公司垄断，中国买不到。

所以在传统路线上，中国芯片产业确实面临一堵很高的墙。

但如果跳出硅材料这个框框呢？有一类材料只有一到三个原子那么厚，天生就处于＂极薄＂的状态，根本不需要像硅那样一层层地刻薄。面对摩尔定律逼近物理极限的全球性挑战，具有单个原子层厚度的二维半导体是目前国际公认的破局关键。这种材料的代表就是二硫化钼、硒氧化铋等化合物。

听起来像是实验室里的概念？一年前或许是，但现在情况已经大不一样了。

2025年2月，北京大学彭海琳教授团队与电子学院邱晨光研究员团队在《自然—材料》发表成果，报道了世界首例低功耗二维环栅晶体管。该晶体管的速度和能效同时超过了硅基物理极限，是世界上迄今速度最快、能耗最低的晶体管。

彭海琳打了个比方，＂如果将在现有材料基础上开展芯片技术革新比作＇弯道超车＇，研制二维材料晶体管就是＇换道超车＇。＂

换道——这两个字用得精准。北大团队用的不是二硫化钼，而是一种铋基半导体材料硒氧化铋。以中国大陆现有加工技术制造的该新型二维环栅晶体管，据课题组预估，其速度已可以达到国际上最先进硅基芯片的约1.4倍，而能耗仅为其90%。

更值得注意的是，二维材料晶体管可通过材料创新跳过传统光刻路径，这就意味着不用那台买不到的EUV机器，也可能做出尖端水平的芯片。

两个月后，另一个团队又扔出一颗重磅炸弹。

2025年4月2日，复旦大学周鹏教授团队联合包文中研究员，造出全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器＂无极＂，首次实现5900个晶体管的集成度，在国际上实现了二维逻辑芯片最大规模验证纪录。5900个晶体管是什么概念？之前国际上的纪录是2017年奥地利一个团队做的115个。中国团队一把提升了50倍。

而且这颗芯片的工艺路线特别有意思。在该团队开发的二维半导体集成工艺中，70%左右的工序可以直接沿用现有硅基产线成熟技术，核心工艺部分已拿到20多项发明专利。也就是说，不需要从头建一套全新的工厂，大部分设备直接可以复用。

不过周鹏教授自己很冷静。当前，国际上对二维半导体的研究仍在起步阶段，尚未实现大规模应用。＂无极＂目前还是概念验证阶段的产品，和商用芯片之间存在差距。但他同时指出，在实时信号处理方面，二维半导体芯片有望适用于物联网、边缘算力、AI推理等前沿计算场景。

芯片做出来只是一步，原材料的规模化制备同样关键。

2026年1月30日，一条令人振奋的消息登上国际顶刊。《科学》在线发表南京大学王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作论文，他们创新研发＂氧辅助金属有机化学气相沉积技术＂，突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。

通俗来说，就是找到了一种方法让二维材料＂长＂得更快、更大、更干净。王金兰介绍，针对这些难题，团队在制备过程中引入氧气，使前驱物反应速率提升约1000倍以上。新方案使二硫化钼晶畴平均尺寸从百纳米级提升至数百微米，同时彻底解决了传统方法中长期存在的碳污染问题。这是该团队继2025年10月在Science发表成果后取得的又一重大突破。

目前团队已掌握二维半导体衬底工程、动力学调控等产业化关键技术，正加紧研发新型气相沉积设备，下一步将尝试规模化制备12英寸二硫化钼薄膜。12英寸是现在全球芯片工厂的主流规格，一旦打通这一步，二维材料就能真正＂接入＂现有的工业体系。

从实验室到工厂之间，还有一段叫＂工程化＂的距离。这段路，中国也已经开始铺了。

2026年1月6日，原集微科技的首条二维半导体工程化示范工艺线点亮仪式在上海浦东川沙成功举行，这也是国内首条二维半导体工程化示范工艺线，预计将于今年6月正式通线。原集微的创始人正是＂无极＂芯片团队的核心成员包文中。

原集微计划2026年实现硅基28纳米性能的二维半导体集成芯片，并实现和硅基材料的异质集成，2029年全球量产首款基于二维材料的低功耗边缘算力芯片。

包文中曾经形象地描述过二维芯片制造的难度：＂如果把制造硅基芯片比作在石头上雕刻，那么二维芯片就是在一块豆腐上雕花。＂这个比喻非常传神——原子级别的材料，任何粗暴的操作都会造成破坏，工艺必须极度精细。

值得关注的是，北京大学彭海琳团队也在持续推进铋基材料的产业化进程。彭海琳课题组首次在工业衬底上实现了面向全环栅晶体管的可转移铋基二维半导体单晶晶圆的均匀外延，并在单晶硅基底上也实现了二维铋基氧化物半导体的外延生长。这意味着铋基材料正逐步打通从实验室到工业产线的衔接通道。

把这些碎片拼在一起看，一条清晰的脉络就浮现了：北大攻克器件层面的极限性能，复旦验证系统级芯片的可行性，南大和东大解决材料量产的化学难题，上海浦东的示范线把这些成果拉进了生产场景。高校、科研院所和创业企业之间形成了一条高效的接力链，研究出来的东西不会只停留在论文里。

当然，距离＂用二维芯片取代硅基芯片＂还有很长的路要走。EDA设计软件、封装测试、长期稳定性验证、成本控制——每一个环节都还需要大量投入。全球范围内，美国、日本、韩国也在探索碳纳米管、氧化物半导体等＂后硅＂方案。＂十五五＂规划纲要提出，全链条推动集成电路等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破，国家层面对这个方向的支持力度也在加大。

与此同时，有分析指出，美国及其盟国实施的先进半导体技术出口管制，在限制中国的同时也激发了中国在先进封装、替代光刻技术和新型系统架构方面取得的成就。这种＂你越封锁、我越自主＂的效应，在二维半导体领域体现得尤为明显。

不攻克光刻机，真的能解决芯片难题吗？

严格地说，没有人能给出一个百分之百确定的答案。二维半导体走向大规模商用，乐观估计也要三到五年时间。但有一点已经不是猜测了——中国并没有被困在那条被EUV光刻机卡死的老路上原地踏步。一条全新的技术路径正在成形，从材料到芯片、从实验室到产线，每个环节都有人在推，而且推得比外界预想的要快。

至于能不能真正＂超车＂，可能不取决于哪一颗芯片、哪一项突破，而取决于整条链条能不能在未来几年里稳定运转、持续迭代。从目前的节奏来看，至少方向没有走错。