国产存储再突破！长鑫G5 DRAM正式量产

长鑫存储官宣G5第五代DRAM工艺平台量产24Gb LPDDR5X同步亮相供需偏紧周期下国产存储加速突围9月20日，在世界制造业大会上，长鑫存储正式宣布G5第五代DRAM工艺平台进入量产阶段，并同步推出24Gb大容量LPDDR5X产品。

此次发布标志着长鑫在高端动态随机存取存储器领域再进一步，也意味着国产存储在先进工艺、容量密度和移动终端应用适配能力上继续缩小与国际领先厂商的差距。据介绍，G5平台将内存阵列有源区半间距缩至11.95nm，单片晶圆裸片产出较上一代提升50%，电容深宽比达到45:1，技术指标面向高端手机、平板及便携式终端等对性能与功耗要求更高的市场。

随着24Gb LPDDR5X产品一同推出，长鑫在高容量移动存储赛道上的产品布局进一步完善，也为终端厂商在AI手机、轻薄本和高带宽应用场景中的升级提供了新的国产供应选择。不过，公司也提示，新产品目前仍处于良率爬坡阶段，短期内尚未形成大规模出货能力，且客户认证周期相对较长，商业化放量仍需时间。这意味着，尽管G5平台量产具有重要的技术和产业意义，但真正转化为收入和市场份额，还要经历产能爬坡、下游导入和终端验证等多个环节。在当前全球DRAM市场持续供不应求的背景下，长鑫此次量产消息格外受到关注。受HBM产能持续扩张挤占普通DRAM供给影响，行业内通用DRAM资源趋紧，叠加AI服务器、智能终端及数据中心需求增长，存储价格上行周期仍在延续。

业内普遍认为，这一轮景气度有望为具备产能和技术突破能力的企业带来更好的市场窗口。对于国产存储产业而言，G5平台量产不仅是单一产品的进展，更体现出国内企业在先进制造能力上的持续追赶。随着更高密度、更高性能的DRAM产品逐步导入市场，国产供应链在中高端终端领域的参与度有望提升，也有助于降低下游厂商对外部供应的依赖。在全球存储行业波动加剧、先进制程竞争不断升温的当下，长鑫的最新进展无疑为中国存储产业带来新的想象空间。