
提到高端制造领域,"日本技术领先中国三十年、甚至垄断全球市场"的说法曾一度广为流传,这样的论断究竟是客观事实还是言过其实?
事实上,无论是半导体薄膜制程还是精密不锈钢箔材,海外企业长期把持核心技术已是不争的事实,而中国的突围故事同样值得深入探讨。
晶片究竟要如何才能做到极其微小,小到每一层薄膜都必须以原子为单位来计算?

为了制造出更强大的晶片,半导体产业链上的各家大厂不断拿出压箱底的技术,一方面发展环绕式闸极、3D封装等新设计,另一方面引入极紫外光曝光机,来刻出更加微小的电路。
然而,要做出这些复杂的设计,前提是必须拥有良好的基底,也就是要能在晶圆上生长出一层层仅有原子厚度的材料。
如今,这道"薄膜制程"已成为半导体制程中的一大关键环节。要如何精准地做出最薄、仅有原子厚度、并且生长得非常均匀的薄膜?

例如说三纳米,就必须精准地是三纳米,不能多也不能少。目前唯一能达成此目标的方法,就是原子层沉积技术,简称ALD。
半导体如今已经是一个极为庞大的产业,就算是知名企业作为其中的领军者,仍然无法脱离整个产业链独自完成晶片制造。
因为晶片制程中会使用到的大量材料与设备,例如晶圆、光阻剂、曝光机等等,都需要来自分散在全世界的企业共同提供。

这庞大的产业链,也充分反映出制造一块晶片有多么复杂与困难。从生产的技术层面来说,晶片制造的关键就在于"微影制程"。
简单来说,微影制程就是一层一层地在"盖"材料,并透过沉积、曝光、蚀刻这三个步骤的循环,如同盖房子一般,逐渐向上盖出完整的晶片。若要打造出又薄又稳定的晶片,第一步至关重要。
若没有良好的基底,就如同手拉胚的黏土品质本身就有问题,手艺再巧也无法做出好作品。

在薄膜制程中,材料学家开发了许多种选择来处理这项任务,大致可以分成物理与化学两大类。
其中在半导体制程中,化学气相沉积CVD是非常常见的方式,透过化学反应的方式在材料上生长出所需的材料。
然而,当业界追逐摩尔定律,发展3D、复杂结构的电晶体构造时,薄膜也开始需要顺着结构弯曲,并追求精度更高、更一致的品质。

随着更小的半导体节点竞争日益激烈,晶片的设计也变得越来越复杂,从过去的平面电晶体,到现在主流的FinFET鳍式场效电晶体,再到目前正努力开发的GAA环绕式闸极电晶体,其差别显而易见,这实际上是对薄膜技术的一大考验。
材料学家的思路是:找到一种方法,让这层薄膜生长到特定高度时就停止继续生长。这种方法就称为原子层沉积ALD,顾名思义,即以原子层为单位进行沉积。
ALD可以视为化学气相沉积CVD的改良版,所选用的气体前驱物具有显著的"自我局限现象",让工程师可以控制每次都只铺上一层原子的厚度。

以氧化锌镀膜为例,第一前驱物是二乙基锌,当锌与基材作用之后,其他想靠上来的二乙基锌就会被其身后如尾巴般的乙基所阻挡,从而确保最后在基板上的只有一层二乙基锌。
接着通入第二前驱物——水,水与二乙基锌产生化学反应,最终形成氧化锌,ALD的一次流程便完成了。最终成长到成熟形态的ALD,几乎能够应付所有的制程条件。
在ALD领域的龙头厂商方面,ASM是全球领先的半导体设备制造厂商,历史超过五十年,自1968年Arthur del Prado在荷兰创立ASM以来,该公司一直致力于推进半导体制程的先进技术。

至今,ASM不仅在ALD市场占有超过55%的市占率,也在PECVD、磊晶等领域扮演着重要角色。
当然,ALD显然并不是薄膜制程的终点,ASM也持续开发新技术,例如PEALD电浆原子层沉积,其反应温度不仅更低,还能加快反应速度,因此能满足更多的制程需求。
回到开篇的疑问:所谓"日本技术领先中国三十年、垄断全球"的说法,究竟是否夸张?答案就藏在中国制造的另一项突破里。

曾几何时,超薄不锈钢精密箔材,也就是大众熟知的"手撕钢",是牢牢卡在中国高端制造领域的"卡脖子"材料,一张A4大小售价高达400元,仍一材难求。
2016年,太钢正式组建"手撕钢"创新研发团队,34岁的青年工匠段浩杰主动扛起重任,成为首批15名核心研发成员之一。
轧制工序的两万余种参数组合、频发的断带难题、瞬间碎裂成粉末的钢带,都未能阻挡他们的脚步。

攻坚的两年多时间里,段浩杰几乎以厂房为家,办公室里一米多高的工作笔记,密密麻麻记录着每一次试验的参数与优化方案。
团队攻克175项设备适配难题、452项工艺优化难题,历经711次极限试验后,2018年初,0.02毫米、600毫米宽幅的国产手撕钢成功量产,实现世界首发,彻底打破海外数十年的垄断格局。
2020年9月,团队再度突破极限,成功批量生产出0.015毫米超宽幅手撕钢,刷新自身创下的世界纪录。

从半导体薄膜到精密钢材,海外的技术领先并非不可逾越,所谓"领先三十年"甚至"垄断全球"的论调,在中国工匠十年如一日的坚守与突破面前,早已成为过去式。
看似薄薄一片的材料,承载的正是中国制造的硬核实力,也彰显着新时代工匠敢闯敢拼的创新精神。
更新时间:2026-09-02
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