近日,中国化合物半导体板块迎来了一次久违的集体狂欢。触发这场上涨的,是中国最高人民法院的一纸裁决:维持对德国芯片巨头英飞凌科技(Infineon)在华销售氮化镓(GaN)产品的禁令,禁止其在中国大陆境内销售、要约销售或进口涉案GaN产品。
这是一场远比股价涨跌更值得认真审视的产业事件。

这起专利纠纷的主角,是英飞凌与中国GaN功率半导体企业英诺思(Innoscience)。两家公司之间的专利战,几乎同步在中美两个司法管辖区展开,走势却截然相反,堪称当前中美科技竞争大背景下的一个缩影。
中国这条线的进展是:2026年5月27日,苏州中级人民法院认定英飞凌侵犯了英诺思持有的两项核心GaN专利,责令英飞凌立即停止在华相关产品的销售和进口,并判令赔偿1000万元人民币(约合147万美元)。英飞凌随即向最高人民法院申请复议,但于6月12日遭到驳回,禁令正式生效。
美国这条线走向则完全相反。就在中国裁决作出的同期,美国国际贸易委员会(ITC)于2026年5月作出裁定,认定英诺思侵犯了英飞凌持有的GaN专利,并对英诺思产品发出进口和销售禁令。
同一组技术,在地球两端同时被两家公司互相指控抄袭,双方各赢一局。这不仅是一场企业间的专利博弈,更折射出GaN这一战略性半导体技术正在成为中美科技竞争的新前沿。
氮化镓,被业界称为"第三代半导体"的核心材料之一,与硅相比,它能在更高电压、更高温度下工作,同时实现更快的开关速度和更低的能量损耗。这些特性让GaN功率器件在快充适配器、电动汽车逆变器、5G基站和数据中心电源管理等领域具有不可替代的优势。
近年来,随着全球快充市场爆发和电动汽车渗透率持续提升,GaN功率器件需求急剧扩张。市场研究机构此前预测,全球GaN功率器件市场规模将从2023年的约15亿美元增长至2028年的超过50亿美元,复合年增长率超过27%。
英飞凌是全球功率半导体领域的绝对龙头,GaN业务是其重要的增长引擎之一。而英诺思则是中国GaN领域发展最快的企业之一,凭借激进的市场定价策略,近年来在消费电子快充领域迅速抢占全球份额,与英飞凌、德州仪器等传统巨头形成直接竞争。禁令如果长期有效执行,将直接影响英飞凌在全球最大单一半导体市场的业务布局。
英飞凌发言人周一对外表示,此次裁决对公司GaN业务影响"非常有限",仅涉及产品组合中的一小部分,并强调公司将"提起上诉,并利用一切法律手段捍卫其在GaN技术领域的创新领先地位"。
但资本市场的反应显然比这份声明更为直接。英诺思香港上市股票单日飙升16.6%,上海上市的思兰微电子和三安光电均触及10%涨停板,科创板上市的华润微电子股价上涨逾13%。整个板块的集体躁动,透露出市场对中国本土GaN产业趁势扩张的强烈预期。
这场专利战还远未走到终点。英飞凌的上诉程序将继续推进,中美两地的司法博弈仍将延续。但无论最终结果如何,它已经清晰地标注出一个信号:在第三代半导体这个新赛道上,中国企业正在用专利诉讼这把武器,主动出击,争夺全球产业格局的重新定义权。
更新时间:2026-06-21
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