西安奕斯伟材料科技申请电荷捕获层相关专利，该方法可提升电荷捕获层的电荷捕获能力

来源：新浪证券-红岸工作室

10月25日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“电荷捕获层的制备方法、衬底结构及射频器件”的专利。申请公布号为CN122971185A，申请号为CN202611235673.4，申请公布日期为2026年10月23日，申请日期为2026年8月14日，发明人刘贵浩、王文娟、车宇航、张博、兰洵，专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师宋东阳、侯丽丽，分类号H10P14/24、H10B43/30。

专利摘要显示，本公开涉及电荷捕获层的制备方法、衬底结构及射频器件。在一方面中，提供了一种电荷捕获层的制备方法。该方法包括：在衬底上沉积形成第一多晶层；中断沉积，并向第一多晶层的表层引入晶格缺陷，以在表层形成再形核点；以及在引入晶格缺陷的所述表层上继续沉积形成第二多晶层，以获得所述电荷捕获层；其中，第一多晶层的厚度为电荷捕获层的目标厚度的30%~60%。由此，提高了电荷捕获层的捕获能力。

西安奕材是国内12英寸半导体硅片领域核心厂商，2016年3月16日注册成立，2025年10月28日登陆上海证券交易所，注册及办公地均位于陕西省西安市。

公司专注于12英寸硅片的研发、生产和销售，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料，同时覆盖大硅片、半导体、MCU概念板块。

2026年三季度，西安奕材实现营业收入26.51亿元，在所属7家半导体材料样本企业中排名第4，当期行业营收第一名有研新材为84.62亿元、第二名立昂微为33.2亿元，行业平均营收31.05亿元，公司营收水平与行业中位数持平；同期实现净利润1.51亿元，同样在7家样本企业中位列第4，行业净利润第一名中船特气为6.61亿元、第二名有研新材为2.59亿元，行业平均净利润2.01亿元，公司净利润也与行业中位数持平。

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下：