“宽禁带半导体抗辐照功率电子器件”专题研讨会在南京大学成功举办

来源：市场资讯

（来源：第三代半导体产业）

2026年9月18-19日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（简称“专委会”）主办，南京大学、中国空间技术研究院北京卫星制造厂有限公司、江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室共同承办的“宽禁带半导体抗辐照功率电子器件专题研讨会”在江苏南京顺利召开。本次研讨会由专委会主任委员、北京大学沈波教授，专委会副主任委员、南京大学陆海教授，专委会委员、北京卫星制造厂有限公司万成安研究员共同召集，与会单位包括：航天五院总体设计部、遥感卫星总体部、通信与导航卫星总体部、供应链中心，北京卫星制造厂有限公司，西北核技术研究院，中国工程物理研究院，北京卫星环境工程研究所，星测未来科技（北京）有限责任公司，深圳市魔方卫星科技有限公司，深圳平湖实验室，中国电子科技公司第五十五研究所，中国电子科技公司第二十四研究所，广东省科学院半导体研究所，南京大学，中山大学，中国科学院微电子研究所，华润微电子有限公司，润新微电子（大连）有限公司，中国科学院苏州纳米所，中国科学院长春光机所，中国科学院宁波材料研究所，北京大学，西安电子科技大学，中国科学技术大学，哈尔滨工业大学，电子科技大学，南京邮电大学，西交利物浦大学，山东大学，浙江大学，吉林大学，广东工业大学，深圳大学，扬州大学，南京航空航天大学，苏州能讯高能半导体有限公司，杭州镓仁半导体有限公司，奥趋光电技术（杭州）有限公司等共计41家单位、70余位产业界、学术界专家参会研讨。

研讨会开幕式由陈志涛教授级高工主持，专委会主任委员、北京大学沈波教授线上为大会致辞。他表示，当前宽禁带半导体功率器件加快进入空间电源、核技术等应用场景，抗辐照能力与可靠性保障面临诸多亟待解决的问题，本次研讨会召开的十分及时。会议汇聚了国内宽禁带半导体抗辐照功率电子器件领域的产、学、研、用各界专家，期望与会专家们充分交流、集思广益，为后续技术攻关提供有价值的思路与参考。

研讨会设置专题报告与专题研讨两大环节，其中专题报告分别由南京大学陆海教授、北京卫星制造厂有限公司万成安研究员、西北核技术研究院陈伟研究员主持，11位专家（产业界6位，学术界5位）作了专题报告，其中北京卫星制造厂有限公司纪志坡、西北核技术研究院陈伟、星测未来科技李亚男、深圳市魔方卫星科技潘鹏飞，分别围绕宽禁带半导体抗辐照器件在宇航电源应用、强辐射环境应用、商业航天卫星以及太空算力应用等方面做专题报告。航天五院供应链中心于庆奎、中国工程物理研究院段丙皇、北京大学杨学林、西安电子科技大学郑雪峰，分别围绕宽禁带半导体器件抗辐射评估方法、中子辐照损伤、辐照环境下材料缺陷表征与器件性能退化机理等开展交流。浙江大学任娜、电子科技大学周锌、南京大学周峰，分别围绕SiC功率器件辐照效应与加固技术、GaN功率器件辐照效应与加固技术、脉冲激光模拟辐照测试技术等方面进行专题报告。

研讨环节由陆海教授与万成安研究员共同主持，与会专家聚焦商业航天、空间基础设施、卫星电源、核电极端辐照环境等领域宽禁带半导体元器件面临的“优势如何发挥、如何验证、如何保障、敢不敢用”等关键问题展开深入讨论，围绕宽禁带半导体抗辐照本征优势、抗单粒子损毁机理与抗辐照加固、宽禁带半导体器件抗辐照可靠性评价方法、工程应用保障以及产业协同等议题进行了热烈交流与讨论。

经过近三个小时的深入研讨，与会专家围绕宽禁带半导体抗辐照功率电子器件的发展方向、关键技术和应用保障等多个议题凝聚了重要共识：一是高能效抗辐照宽禁带半导体功率电子器件是支撑太空光伏、太空算力发展的基础性关键技术，可以大幅提升航天器的使能效率；二是宽禁带半导体功率器件的辐照失效机理仍待深入解析，需进一步强化抗辐照材料、器件与封装工艺的理论与技术攻关；三是要进一步完善辐照测试与可靠性评价技术，推动形成更加科学、规范的性能评价体系，加快推动相关标准和技术规范的建立；四是要进一步深化产学研用协同合作，加强高校、科研院所、航天单位和产业界之间的联合攻关与应用验证，加速技术成果向工程应用和产业化转化。与会专家特别指出：商业航天领域宽禁带半导体器件性能判定和评价标准缺失已经成为限制我国抗辐照宽禁带半导体元器件发展的关键障碍，建立健全相关评价方法和标准体系已经刻不容缓，成为当前行业亟需推进的重要工作。

会议最后，万成安研究员与陆海教授分别作总结发言。他们表示，希望以本次研讨会为契机，进一步加强业内交流与协同合作，聚焦宽禁带半导体抗辐照领域的关键共性技术和工程应用难题，推动建立抗辐照测试评价和应用保障体系，共同促进我国宽禁带半导体功率电子器件抗辐照技术创新与产业化高质量发展。

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