全球芯片巨头抢疯，一片卖 2500 美元，缺口 70% 谁来补？

有个材料火得离谱，比当年的光纤还抢手，全球半导体厂商都在抢破头，它就是磷化铟。

很多人可能没听过，但它却是 AI 光互联的核心命脉。

2026 年磷化铟衬底缺口将超 70%，比当年的光纤还要夸张。

2025 年全球两英寸光通信级磷化铟衬底需求 200 到 210 万片，有效产能只有 60 到 70 万片，缺口直接达到 70%。

到 2026 年，需求涨到 260 到 300 万片，产能仅提升到 75 万片，缺口依然超过 70%。

如果 2027 年全面铺开 1.6T 光模块，总需求会突破 400 万片，缺口只会更大。

英伟达 CEO 在 2026 年 7、8 月公开预警，磷化铟的缺口比 DRAM 和 NAND 存储还大，已经成为 AI 光互联最关键的刚性约束。

价格从 800 美元涨到 2500 美元，涨幅超 200%。

供需紧张直接体现在价格上。

2025 年光通信级磷化铟衬底均价还在 800 美元一片，到 2026 年 4 月，已经涨到 2300 到 2500 美元，涨幅高达 187% 到 213%。

6 英寸的磷化铟衬底涨幅更是达到 250%，集单价格已经摸到 3000 美元一片。

这种涨幅，比当年的芯片原材料还要疯狂。

为什么磷化铟缺口这么难补？

它的单晶生长需要高温高压，还要保证低缺陷，大尺寸衬底的良率极低。

从设备交付、良率爬坡到客户认证，全周期普遍需要 18 到 24 个月，部分项目甚至要 2 到 3 年。

目前诸友电工、ATX 和云南的相关企业都在扩产，但有效新增产能远远滞后于需求。

加上铟资源主要集中在中国，出口管制进一步压缩了全球供给，缺口只会越来越大。

而且不光光模块要用磷化铟，1.6T 光模块的 200G EML 激光器、大功率激光发射器都在共享磷化铟衬底，进一步加剧了供需矛盾。

英伟达 27 年需求 6000 万颗，头部产能早被锁死。

当前全球能规模化供应磷化铟器件的厂商很少，博通、住友、三菱这些头部玩家，早被英伟达通过长协锁定了全部产能。

国内的 200G EML 进展缓慢，多数还在送样和内部测试阶段，规模产量有限，根本没法快速填补缺口。

2027 年英伟达的大功率激光发射器需求就达到 6000 万颗，全部订单都被博通和 Coreherent 拿下，国内玩家短期内很难分一杯羹。

就连 400 毫瓦的大功率激光发射器，国内也只有少数企业在送样小批量生产，2027 年上半年都很难实现大规模量产通过英伟达认证。

最近 AI 算力的近封装、共封装技术，又进一步放大了磷化铟的需求。

传统光模块的 DSP 电信号到 3.2T 时发热量就已经极高，而近封装把激光发射器、HBM 内存都集成在一个板子上，共封装更是直接焊在芯片里，24 小时满功率运行，发热量进一步飙升。

这种新的技术路线，会和 1.6T 光模块的 EML 路线争夺稀缺的磷化铟衬底和钼沉积工艺，让本就紧张的供需格局雪上加霜。

短期来看，至少到 2027 到 2028 年，磷化铟的瓶颈都很难根本解决。

虽然国内企业在加速推进国产化，但高端认证和出口限制依然存在，不出口的话根本没法实现盈利。

整体来看，未来 1 到 2 年，光芯片上游尤其是磷化铟相关产业链都会维持高度紧张的状态。

具备定价权和长协锁量的头部供应商，以及能快速突破高功率激光发射器的国内企业，将会是这场竞争中的受益者。

参考资料：

华尔街见闻：2026-08-17："有钱也买不到"！供需失衡加剧，磷化铟掀史上最大涨价潮