台积电打破八年SRAM扩展停滞：随着A14工艺推出或缩小19%

近年来SRAM单元的扩展已经变得相当困难，虽然先进制程技术不断升级，但是SRAM单元遇到了缩减放缓的问题。比如在台积电（TSMC）3nm制程节点上，与5nm制程节点没什么分别。采用N3B和N5工艺的SRAM位单元大小分别为0.0199μm²和0.021μm²，仅缩小了约5%，而N3E工艺更糟糕，基本维持在0.021μm²，这意味着几乎没有缩减。到了最新的N2工艺，也停留在0.021μm²的水平。

据TECHPOWERUP报道，随着台积电计划在2028年量产A14工艺，或许能打破八年SRAM扩展停滞的局面。按照台积电的说法，6T SRAM位单元将缩减到0.017μm²，缩小了约19%，是“全球最小SRAM位单元”，提供了迄今为止最高的SRAM密度。

上个月有报道称，台积电下一代A14工艺的生产已提前启动，位于新竹宝山Fab 20的产线最快可能在2027年1月开始试点生产，与英特尔的Intel 14A工艺时间差不多。与N2相比，A14在相同功耗条件下，性能提升了10%至15%，在相同频率条件下，功耗降低了25%至30%，同时逻辑密度提升了接近20%。

A14工艺将采用第二代GAA晶体管，并通过NanoFlex Pro技术进一步提高灵活性。不过首发的A14工艺不支持超级电轨（Super Power Rail，SPR）架构，也就是背面供电技术，台积电会在2029年带来加入背面供电的版本，满足高性能客户端和数据中心应用的需求。