刘益东研究员的观点直击要害

中国科学院自然科学史研究所研究员刘益东，在凤凰卫视节目接受胡一虎采访时，把大家心里的疑问挑明了。他说很多人看到外媒报道中国EUV原型机，就觉得我们有那么厉害吗，这设备技术这么难，真能搞出原型机？

他讲得清楚，现在半导体产业已经进入换道超车阶段，跟国外技术方向拉开距离。我们的做法不是完全照西方路子走，包括这个原型机也是，多方面找合适路线。

半导体产业的多路径选择

换道超车的底气来自多条技术路线并行。荷兰ASML是目前唯一能量产EUV光刻机的企业，用的是激光等离子体技术，激光源来自美国公司后来被收购，发射器跟德国合作，反射镜组由德国蔡司独家提供，基本把全球顶尖资源都集中了。中国没死盯这一条，还有团队在试激光诱导放电等离子体技术。清华大学多年前提出稳态微聚束技术，也就是SSMB-EUV。

蔡司跟ASML在这一领域拿下超过1500项曝光装置专利，要是硬跟着走，这些专利就成大麻烦。中国选择多路线，就是为了避开壁垒，风险小得多。只要有一条走通，就能缓解被卡的局面。清华大学官方资料说，SSMB光源有望解决最核心的难题，但光有光源不行，还得造发射器和曝光装置，上下游供应链得一起攻关才行。

从原理验证到原型机问世

实际进展一步一步来。2016年清华大学机械工程系负责的双工件台系统样机通过验收，达到65纳米到28纳米标准，为国产光刻机打下基础。2021年他们发表论文，验证了SSMB原理，用激光控制电子束形成微结构，产生高强度窄带宽相干辐射，为EUV光源开辟新方向。

2025年12月路透社报道，中国在深圳实验室完成EUV原型机，是前ASML工程师团队参与，2025年初组装完成，现在处于测试阶段，已经成功产生极紫外光，但还没做出可用芯片。内部目标是2028年用它产出芯片，知情人士觉得2030年更现实。这比外界预期的进度快不少，也说明出口管制反而推着我们加快自研脚步。

进程持续突破

EUV光刻机已经算是西方国家对中国实施出口管制的最后一道屏障，该设备的封锁让中国先进芯片产业出现了技术断层，也让中国企业开始加速国产设备的发展。

这些实打实的动作连在一起，就看得出中国在EUV上的路子是避开老轨道，建自己的新轨道。专利挡不住多线并进，供应链配合一步步补齐，原型机测出来就是从零到一的标志。说到底，自主创新靠的就是这种踏实劲头，一条路不通就换一条，总有能走通的时候。

参考资料：

清华成功研发光刻机双工件台掩模台系统α样机-清华大学

清华首次验证“稳态微聚束”原理，有望助力光刻机自主研发-清华大学