硬刚三星 美光 长存杀入DRAM赛道 计划量产9600MT/s高速LPDDR5X内存

10月23日多家行业媒体及Counterpoint报告披露，深耕3D NAND闪存的长江存储正式跨界DRAM赛道，正在研发速率9600MT/s的LPDDR5X移动内存，计划在武汉Fab3晶圆厂推进量产。

长江存储（YMTC）原本以3D NAND闪存为主力产品，凭借Xtacking晶栈架构在全球闪存市场站稳脚跟，本次正式跨界进军DRAM内存赛道。

该款LPDDR5X采用4F²存储单元架构搭配VCT垂直通道晶体管，相比传统6F² DRAM单元缩小单元面积，提升存储密度。长江存储此前已经在Fab2工厂完成7500MT/s规格LPDDR5样品测试，本次9600MT/s版本带宽相比上代样品提升约28%，对标三星、美光的旗舰级LPDDR5X产品，面向旗舰手机、平板等移动终端市场。

从技术路线来看，长鑫存储同样选择4F² DRAM路线，美光则已经官宣放弃4F²方案、转向3D DRAM，全球DRAM产业正式分化为两大技术路线。随着长江存储入局DRAM，国产DRAM阵营进一步壮大，国内存储产业形成长鑫+长江存储双主力格局，存储自主可控布局更加完善。

行业分析提醒，目前该消息属于第三方行业爆料，长江存储尚未发布官方公告，产品良率、量产时间、终端客户导入进度都还没有官方确认。DRAM制造门槛高，新玩家需要经过长时间工艺打磨与终端客户验证，大规模商用仍需要时间。一旦顺利落地，国产高端移动内存供给能力将显著提升，利好国内消费电子供应链安全。后续进展以长江存储官方发布为准。

国产存储战略升级，从NAND单轮驱动走向NAND+DRAM双轮驱动。长江存储跨界DRAM，标志国内存储产业布局更加完整，不再只依靠长鑫一家推进DRAM国产化。

4F²成为国产DRAM共同技术主线。长鑫、长江存储双双押注4F²平面DRAM路线，和美光3D DRAM路线形成两条赛道竞争，给全球DRAM产业带来新变数。

手机等终端设备的LPDDR长期由海外大厂主导，国产LPDDR5X如果顺利量产，可以提升国内消费电子产业链内存供给的自主可控能力。

DRAM对良率、工艺稳定性要求极高，长江存储作为DRAM行业新进入者，还需要经历漫长的工艺打磨、客户验证周期，距离大规模商用还有挑战。

此前黄仁勋表态对英伟达和长鑫存储合作持开放态度，叠加长江存储DRAM新进展，国产DRAM赛道热度持续提升。