文|冉
编辑|冉
过去几十年,芯片一直长在硅片上,好比在一块石头上精雕细刻。可石头再硬,也有雕不动的一天——物理极限就在那儿摆着,谁也无法绕过。
那怎么办?有人换了一条路,不在石头上雕了,改在一层薄到只有原子级别厚度的材料上做文章。这事儿听着像天方夜谭,可咱们中国的科学家真就把它干成了。
今天咱们就来聊聊,这块“豆腐”上雕花的背后,到底藏着怎样的底气与雄心?

咱们这些年用的手机、电脑,一年比一年快,归根结底靠的是芯片上晶体管越做越小、越塞越多。
几十年来有个规律叫摩尔定律,说同样一块芯片上,晶体管数量大约每两年翻一番。这规律在过去几十年里就像商场里的自动扶梯,厂商只要踏上去,不用费多大力气,性能自己就往上涨。

可现在这部扶梯明显慢下来了。晶体管越缩越小,缩到只有几个纳米的时候,里面的电子就开始不守规矩了。
按说晶体管有“开”和“关”两种状态,可尺寸太小的时候,本该关着的沟道拦不住电子,电子自己就溜过去了。
这在物理学上叫量子隧穿效应,听着挺玄乎,说白了就是电子不听话了,到处乱窜。结果就是芯片一边运算一边发烫,热量散不出去,性能再高也白搭。散热这道坎,已经成了行业公认的天花板。

钱的事儿更让人头疼。造3纳米芯片光设计费就得往桌上拍将近6亿美元,请注意,这钱花完连一片晶圆都还没流出来。
真要自己建一条3纳米生产线,投入大约150到200亿美元。全世界敢下这个注的企业,一只手数得过来。
敢下注的越来越少,先进制程一路收敛到少数几家手里,剩下的人只能排队等产能、看别人脸色排期。

对中国芯片产业来说,这处境最憋屈。前面是越来越贵的入场券,门槛高得吓人;旁边还有人管着你,不让你进场。
沿着硅基这条老路拼命追,追到最后很可能只是把别人走过的路重走一遍,还得看人家给不给机会。那还有别的路吗?复旦团队给出了一个不一样的答案。

这个答案就是二维半导体材料。咱们常规用的硅,是三维材料,有一定厚度。
而二维半导体薄到极限,厚度只有0.65纳米,也就一到三个原子层。因为天生就薄,短沟道漏电这个把硅基逼到墙角的老毛病,从源头上就换了个解法。
英特尔、三星、台积电、比利时的IMEC,这些国际顶尖的半导体研究机构,都已经把二维半导体列进了1纳米节点之后延续摩尔定律的核心技术方案。
换材料这条路,国际巨头早就在路线图上画好了,只是谁先把它从纸面变成一颗能跑指令的芯片,一直没有答案。

复旦团队用了五年时间攻关,把这件事做成了。2025年4月2日,国际顶级期刊《自然》的主刊登出了他们的成果:全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器,取名“无极”。
从115个到5900个,一次抬高约50倍,这是全球二维半导体电路集成度的新高度。

芯片这行有句老话,实验室做出一个是运气,做出九百个里只坏两个才叫工艺。
为了验证良率,团队做了900个反相器阵列,结果898个功能完好,反相器良率达到了99.77%。良率立住,这颗芯片才从“演示品”变成了“电路”。

二维材料好在薄,难也难在薄。
包文中研究员打了个非常形象的比方:造硅基芯片就像在石头上雕刻,你用力大一点问题不大;可造二维芯片就像在豆腐上雕花,稍一用力就烂,力道必须拿捏得恰到好处。
传统硅基生产线上那些又冲又刻又高温的工序,随便一道就能把原子层厚的材料整废。

团队的突破靠两条腿走路,一条叫原子级界面精准调控,说人话就是把每一道会伤到材料的工序都调温柔,通过精准控制降低工艺损伤。另一条是把AI放进全流程,让算法去试工艺参数的组合。
这步棋其实提前了好几年就开始布局——2021年他们就在《自然·通讯》上发表过用机器学习优化工艺参数的论文,等于提前四年练了兵,这回派上了大用场。

功耗是另一个让人眼前一亮的地方。“无极”的待机功耗只有传统硅基芯片的五分之一。用微米级的加工精度,做到了跟28纳米硅基芯片相当的功耗。往后工艺精度每往前走一步,这个优势还得往上翻。
架构上选用了开源的RISC-V,这一步等于不再向ARM、x86那套专利墙交授权费,从一开始就把过路费省了。
更关键的是,约七成工序可以直接沿用现有硅基产线的成熟技术,不用把生产线全拆了从头来过。从实验室到车间这道坎,多少人栽在这上面——这一次,咱们没让它悬着。

论文发出来只是第一步。芯片这行最凶险的一段,是从实验室到车间那道坎。多少漂亮的原型,就死在从中试到量产这一段路上。中国这回没让它悬着。
2025年6月,国内首条二维半导体工程化示范工艺线在上海浦东川沙开工,从开工到设备进厂只用了100天。
2026年1月6日设备点亮,7月9日正式全线贯通,成为国内首条、也是全球首条8英寸二维半导体中试线,占地约一千平方米。

这条线是示范线、中试线,不是量产线。它干的活儿,是把实验室里只有博士生才拿得稳的手艺,翻译成工业能听懂的语言——写成工艺文件、固化成设备参数、变成谁来操作都能重复的良率。
通线当天发布的500纳米工艺设计工具包,良率超过99.99%,突破了二维半导体领域的国际纪录。

时间表也排上了:2026年下半年打通等效硅基90纳米的工艺路径;2027年推等效28纳米;2028年迈向等效5到3纳米;2029到2030年,基于全国产装备实现等效1纳米方案。
这是规划,不是已经发生的事,但把节点一格格钉在墙上,本身就是一种表态。

同一支团队的另一条线也在往前跑。2025年10月,他们在《自然》发表了“长缨”——全球首颗二维与硅基混合架构的闪存芯片,全片测试良率94.3%。
它跟“无极”是两码事,一个管存储、一个是处理器,但指向同一件事:二维材料不是要把硅基掀翻,而是能跟硅基长在一起,长期共存、应用互补。
工业界最怕的“你得先把家拆了才能用我”,从一开始就不成立。

目前“无极”整体性能跟商用芯片还有距离,但这赢的是新赛道的首发权。
全球第一颗基于二维半导体材料的32位RISC-V处理器出在中国的实验室,不是别人的。写进国际巨头路线图的那个方向,第一个把可跑指令的完整处理器做出来的是咱们。
硅基芯片被物理极限顶住的那堵墙,第一次有人从旁边凿开了一条缝。当年那115个晶体管摆在那儿的时候,谁也说不准这条路走不走得通。
现在那片0.65纳米的“豆腐”上刻着5900个,川沙的洁净室里,机器已经开始为2029年那一格磨合了。路虽远,行则将至;事虽难,做则必成。
更新时间:2026-09-11
本站资料均由网友自行发布提供,仅用于学习交流。如有版权问题,请与我联系,QQ:4156828
© CopyRight All Rights Reserved.
Powered By 61893.com 闽ICP备11008920号
闽公网安备35020302035593号