重磅回归！台积电3nm专家，携团队加盟中科大！

近日有消息称，曾主导泛林集团（Lam Research）与日本国立材料研究所（NIMS）联合项目、技术成果已应用于台积电日本3nm量产线的中国科学家达博，正式辞去NIMS终身职位，毅然带领整个核心研发团队全职回国，加盟中国科学技术大学担任讲席教授。

顶尖半导体科学家达博携核心团队全职回国

近日，深耕半导体前沿领域的85后顶尖科学家达博，正式辞去日本国立材料研究所（NIMS）终身职位，带领核心研发团队全职回国，加盟中国科学技术大学出任讲席教授。

阔别海外科研十三载，这位本土培养的学霸，携顶尖核心技术归来，助力国产半导体突破技术封锁。

达博是甘肃高考状元，本科至博士均就读于中国科学技术大学，完成九年本硕博贯通学习。

2013年赴日开展博士后研究，凭借过硬科研实力，仅一年便斩获NIMS终身教职，成为该机构史上最年轻终身学者，刷新机构人才纪录。

在日期间，达博主导泛林集团与NIMS联合重点项目，深耕芯片电子束设备、刻蚀设备的核心材料与关键部件研究，其技术成果已成功应用于台积电日本熊本3nm量产线，精准攻克我国半导体两大“卡脖子”难题。

其一，突破高端芯片检测技术垄断。亚纳米级先进芯片制程中，传统光学检测技术失效，达博研发的电子束检测方案，可将晶圆缺陷检测精度提升至埃米级别，检测效率提升近百倍，是7nm以下先进芯片量产的核心技术，打破了美国企业对该领域的长期知识产权垄断。

其二，攻克先进刻蚀核心材料短板。先进芯片刻蚀设备核心部件需耐受极端工作环境，直接决定芯片量产良率。达博团队研发出全球首块圆柱对称旋转晶体，开创“电子衍射光学”新研究方向，为新一代高端电子束设备研发奠定关键技术基础。

目前，国内5nm以下先进制程的刻蚀核心材料、关键零部件高度依赖进口，是制约国产高端芯片量产的核心短板，而达博的核心研究方向恰好精准补齐该产业弱项。

手握国际顶尖技术、拥有海外终身教职，且备受国际行业认可，达博曾收到诸多海外高薪邀约，但他坚守初心、悉数拒绝，毅然选择全职归国。此次他携完整核心团队回国，将为我国先进半导体材料、核心零部件国产化突破注入强劲动能，助力国产半导体产业打破海外技术壁垒与垄断。

来源于半导体封装，作者半导体首席