中芯国际申请动态随机存取存储单元及其形成方法、动态随机存取存储器专利，增加存取存储单元的抗电流烧写能力

金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“动态随机存取存储单元及其形成方法、动态随机存取存储器”的专利，公开号CN120187000A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，一种动态随机存取存储单元及其形成方法、动态随机存取存储器，其中动态随机存取存储单元包括：晶体管结构，所述晶体管结构包括栅极、源极和漏极；熔丝结构，所述熔丝结构与所述漏极电连接；存储电容，所述存储电容与所述熔丝结构电连接，且所述熔丝结构的熔断电流小于所述存储电容的击穿电流。通过在所述漏极和所述存储电容之间增加所述熔丝结构，且所述熔丝结构的熔断电流小于所述存储电容的击穿电流，既不会影响存取存储单元的正常运行，同时在有大电流由所述漏极输出时，所述熔丝电容会先熔断，进而使得整个电路形成开路，保护所述存储电容，以增加存取存储单元的抗电流烧写能力，确保所述存储电容的安全。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。

本文源自金融界