爱思开海力士申请层叠型半导体装置及制造方法专利，提供层叠型半导体装置及制造方法

金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“层叠型半导体装置以及该层叠型半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN120300086A，申请日期为2020年08月。

专利摘要显示，提供了一种层叠型半导体装置以及该层叠型半导体装置的制造方法。该层叠型半导体装置包括：多个半导体芯片，其层叠以彼此交叠；多个贯通电极，其分别穿透半导体芯片，多个贯通电极彼此结合；以及多个空隙，其分别掩埋在贯通电极中。

本文源自金融界