2025年第四季度，内存芯片价格持续上涨，主要厂商三星电子内存部门和SK海力士的毛利率预计达到63%至67%区间，这一水平将超过台积电的60%指导值。这种变化源于AI应用从训练阶段向推理阶段的转移，对高带宽内存(HBM)和通用DRAM的需求显著增加，导致供给趋紧。

近期内存涨价

价格上涨的核心驱动

标准DRAM季度环比涨幅超过30%，部分原因是厂商将18%至28%的DRAM产能转向HBM生产，这种高附加值产品消耗更多晶圆资源，却带来更高回报。HBM作为AI加速器的关键组件，其堆叠结构(8至16层DRAM die)大幅提升带宽，适用于大规模模型的快速数据存取。

通用DRAM如GDDR7和LPDDR5X也受益于推理阶段的低功耗需求，这些产品在服务器和边缘设备中逐步取代传统规格。NAND闪存价格虽涨幅较缓，但整体内存合同价在第四季度普遍上调15%至30%，反映了供应商对产能的谨慎控制。

盈利格局的转变

三星和SK海力士的毛利率提升，标志着内存业务盈利能力首次在七年内超越纯代工模式。台积电虽在先进逻辑工艺上保持领先，但面临2nm等新节点的高额资本支出和海外工厂摊薄效应。相比之下，内存厂商通过供给纪律和产品结构调整，实现了更高的定价权。

美光作为第三大玩家，其毛利率已从上一财季的56%预计升至67%，进一步印证了这一趋势。行业库存已降至低位，供应商优先满足AI数据中心订单，避免了以往周期性的过剩风险。

内存巨头的盈利力对比

技术与市场趋势洞察

HBM技术迭代加速，HBM3E带宽突破1.2TB/s，未来HBM4将进一步提升密度。内存厂商还在探索处理内内存(PIM)和垂直通道晶体管(VCT)DRAM等创新，以减轻GPU负载并提高数据密度。这些进展延长了内存主导的周期，但也增加了晶圆消耗，间接推高通用产品的成本。

市场整体需求结构发生变化，AI服务器采购主导了新增产能分配，传统PC和手机内存供给相对受限。这导致终端设备成本上升，部分品牌已开始调整规格或转嫁价格压力。

对我国行业的参考价值

我国内存芯片产业以长鑫存储和长江存储为主力，前者在DRAM领域推进DDR5和LPDDR5量产，后者在3D NAND层数上已达232层以上，良率稳定。2025年，两家企业产能扩张持续，市场份额预计从5%-6%提升至更高水平，得益于本土需求和政策支持。

全球涨价环境为我国厂商提供了窗口期，通过技术追赶和成本优势，可在通用DRAM和NAND中扩大份额。投资角度看，关注设备和材料环节的本土供应商，这些领域将随扩产直接受益。但需注意地缘因素可能带来的供应链波动，优先布局高密度产品以匹配AI趋势。

内存价格上涨推动三星和SK海力士在第四季度毛利率领先台积电，这一现象反映了AI需求对半导体盈利结构的重新塑造，同时也为我国存储产业的技术迭代和市场渗透提供了现实机遇。