今天是大年初七，不少朋友已经踏上了返程之路。

转眼间，春节假期已步入尾声，大家心里难免既有不舍，又充满了对新一年的期待。

港股今天开市，目前恒生科技表现不错，涨幅超3.5%，A股今日继续休市。

愿我们都以更好的状态，迎接新一年的市场机遇。

回到盘面上看，近期随着AI浪潮持续升温，全球半导体产业链正经历一场深刻重构。

SK海力士在2月20日（初四）公开报道上提到，存储芯片行业已全面进入“卖方市场”。

海力士明确表示，当前DRAM与NAND库存仅剩约4周，所有客户的需求都无法被完全满足，2026年HBM产能早已售罄，标准型DRAM也出现极度短缺，价格上行趋势或已成定局。

这一表态不仅印证了行业供需格局的根本性转变，或也为市场提供了一个方向。

那么站在当下，存续芯片涨价情况如何，市场需求，主要的投资逻辑是什么，这些或许都是值得我们跟踪。

一、假期，消息面持续催化

尽管2026年春节假期期间A股休市，但全球存储市场并未“放假”。

事实上，节前及节日期间，多个关键信号密集释放：

第一就是前面提到的SK海力士电话会引爆市场情绪。

作为全球第二大DRAM厂商和HBM核心供应商（第一是三星，第三是美光），其“卖方市场”判断极具权威性。会议透露的“4周库存”“需求无法满足”“长期合约谈判启动”等信息，迅速被国际投行广泛引用。

第二就是美光、三星同步释放涨价预期。

据公开报道数据，目前行业渠道反馈，美光已向部分客户发出Q2 DRAM报价上调通知，三星亦在内部会议中强调“优先保障AI相关订单”，间接印证供应紧张态势。

第三是现货市场价格提前反应。

据TrendForce数据，2月上半月DDR5模组现货价环比上涨超8%，企业级SSD NAND价格亦连续第三个月走高，显示市场对涨价已有充分预期。

有一点，大家要知道，每年一季度是存储芯片的传统淡季，但今年却因AI服务器备货潮与产能瓶颈叠加，呈现出“淡季不淡”的罕见局面。

二、行业周期驱动，供需缺口加大

过去两年，存储行业经历了深度去库存与价格下行周期。

但自2025年下半年起，拐点出现，如今已全面进入上行通道。

核心驱动力来自两大结构性变化：

1、需求端，实打实

HBM（高带宽内存）成为AI芯片标配，单颗GPU所需HBM容量较传统DRAM提升5–10倍。

据测算，2026年全球AI服务器DRAM位需求增速将超50%，远高于整体DRAM市场10%左右的复合增速。

不仅是HBM，AI训练集群对高速SSD（基于NAND）的读写性能要求也大幅提升，带动企业级NAND需求激增。

2、供给端，短期受限

我们可以从一个小方面来看，那就是存储芯片扩产需新建洁净室，建设周期长达18–24个月。

SK海力士直言“洁净室空间已满”，三星、美光亦未宣布大规模新厂计划，意味着未来1–2年产能弹性极低。

另外还有一点就是三大原厂把80%的先进产能转向高利润的HBM和DDR5，传统存储产能大幅收缩 。

在此背景下，供应商议价权显著增强，长协价（LTA）谈判转向有利于原厂，价格传导机制畅通。

综上，本轮存储周期的复苏逻辑或更具持续性，有望形成由技术代际跃迁与物理产能瓶颈共振驱动的中长期景气周期，值得持续验证。

三、哪些方向有望受益？

尽管国内在高端DRAM/HBM领域仍处追赶阶段，但在本轮全球存储景气周期中，国内产业链的多个细分环节有望迎来实质性的发展机遇与份额提升。

1、存储模组与封测环节

目前国内厂商具备完整的DRAM/NAND模组设计与测试能力，可承接服务器、PC、工控等领域订单。

随着原厂涨价+交期拉长，终端客户更倾向与本土模组厂建立稳定合作，国产份额有望快速提升。

2、存储主控芯片与配套IP

NAND主控芯片是SSD的核心，目前国内存储芯片企业在PCIe 5.0、CXL接口等领域持续突破。

部门企业的DDR5内存接口芯片已进入国际主流供应链。

3、设备与材料

存储芯片制造对刻蚀、薄膜沉积、量测设备要求极高。但这几年，国内的设备商正加速导入长江存储、长鑫存储产线。

随着国内存储厂扩产意愿回升（尤其在成熟制程DRAM/NAND），设备订单有望在2026年下半年集中释放。

写在最后：站在周期拐点

存储芯片作为半导体中周期性比较强的板块，历来是观察科技产业景气度的重要风向标之一。

当前，在AI需求刚性、产能刚性的“双重刚性”支撑下，行业或正处于景气上行通道的关键确认期。

这方面或许值得我们持续跟踪。

特别声明：以上内容绝不构成任何投资建议、引导或承诺，仅供学术研讨。

如果觉得资料有用，希望各位能够多多支持，您一次点赞、一次转发、随手分享，都是笔者坚持的动力~