DRAM涨价“风暴”临近 DDR5现货溢价76% DDR4溢价172%

随着DRAM芯片现货价格持续走高，一场存储涨价的“超级风暴”正在临近。

高盛最新渠道调查结果显示，DRAM合约价格上涨动力强劲，核心原因在于DDR5与DDR4现货价格相较于合约价格已产生巨额溢价。其中，与2025年12月合约价相比，DDR5现货溢价76%，DDR4现货溢价更是达到172%，这一价差推动行业情绪趋于乐观，也为短期合同价格大幅上涨提供了支撑。高盛在报告中表示：“我们对今年1月DRAM市场情绪的预测显示，情况呈现出较为积极的态势。值得注意的亮点包括，DDR5和DDR4的现货价格均呈现强劲上涨态势，这为短期内合同价格的大幅上涨提供了很大可能性。”

市场数据印证了这一趋势。中国台湾地区DRAM供应商南亚科技去年12月营收同比增长445%，实现连续5个月三位数同比增长，且8月至12月增速持续加速，分别达到141%、158%、262%、365%和445%，强劲的DDR4价格增长成为主要驱动因素。同时，韩国12月DRAM出口同比增长72%，同样受益于DRAM价格上行。

基于渠道调查及投资者反馈，高盛对2026年第一季度传统存储器价格增长预期持续上升，认为涨幅将与2025年第四季度相当甚至更高。目前移动市场部分客户已接受2026年第一季度DRAM和NAND的报价，其增长率明显高于2025年第四季度商定水平，高盛预计其他客户也将跟进接受显著涨价，市场对内存价格及相关企业收益预期有望进一步提升。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：观察君