应用材料公司申请NMOS器件的通过微波退火的接触层形成专利，可活化外延形成的接触层中的掺杂物

金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“NMOS器件的通过微波退火的接触层形成”的专利，公开号CN120266269A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，一种在半导体结构中形成电触点的方法，包括：在具有半导体区域和介电层的半导体结构上执行选择性沉积工艺，介电层内具有沟槽，选择性沉积工艺包括在介电层的沟槽内的半导体区域上外延形成接触层，以及执行微波退火工艺以活化外延形成的接触层中的掺杂物。

本文源自金融界