金融界2025年5月3日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开新材料有限公司申请一项名为“含硅膜的蚀刻方法及包括其的半导体器件的制造方法”的专利,公开号CN119905399A,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,本发明涉及一种含硅膜的蚀刻方法,更详细地,涉及一种使用含亚硝酰氟(FNO)的蚀刻气体蚀刻含硅膜的方法及包括其的半导体器件的制造方法。
本文源自金融界
更新时间:2025-05-05
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