索泰克公司等申请用于稳定半导体材料表面方法专利,防止形成台阶和/或珠状物

金融界2025年8月4日消息,国家知识产权局信息显示,索泰克公司、法国原子能和替代能源委员会申请一项名为“用于稳定半导体材料表面的方法”的专利,公开号CN120418926A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本发明涉及一种用于稳定半导体材料(特别是单晶半导体材料)表面以防止形成台阶和/或珠状物的方法,所述方法包括在大于或等于80kPa(800毫巴)的压力下在所述表面上以气相形成玻璃质碳层(30)。

本文源自金融界

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更新时间:2025-08-06

标签:科技   台阶   表面   专利   稳定   方法   半导体材料   公司   金融界   国家知识产权局   原子能   法国

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