就在周末，存储芯片有一个消息引发市场关注，那就是三星电子在2026年第一季度对NAND闪存的供应价格进行了大幅上调，涨幅或超过100%。

大家要知道，原本市场预计一季度可能涨幅也就是30几，但是现在来了100%，这一调价幅度超市场此前预期。

更值得注意的是，这并非孤立事件。

就在不久前，市场公开报价显示，DRAM内存价格也上涨近70%。

从种种迹象来看，存储市场正在告别过去以价格战为主导的竞争阶段，正式迈入一个以产能为核心稀缺资源的新周期。

这方面或许值得我们持续跟踪。

供给端，供给无法短期释放

当前，全球主要存储原厂，包括三星、SK海力士和美光。

虽然整体资本开支有所增加，但新增投资几乎全部聚焦于HBM（高带宽内存）等AI相关高端产品。

HBM作为AI服务器的关键组件，不仅技术门槛高，而且单位容量所消耗的晶圆面积远高于传统DRAM，良率也相对较低。

为了满足激增的AI算力需求，厂商不得不将大量成熟制程产能转向HBM生产，从而对DDR4、DDR5乃至NAND Flash等常规产品的产能形成“挤出效应”。

即便现在决定回补传统产能，受限于晶圆厂18-24个月的建设周期，2026年内几乎不可能有实质性新增供给释放。

这意味着，从产业周期判断，全年供给紧张格局或成大概率事件，价格上行趋势存在支撑逻辑。

需求端，AI带来增量需求

需求侧同样不容小觑。

2026年，全球头部AI厂家的资本开支预计将继续保持高速增长，其中相当一部分将用于部署新一代AI服务器。

这类服务器对高性能企业级eSSD的需求远高于传统机型，直接拉动NAND市场。

与此同时，端侧AI的快速演进也在悄然改变消费电子的存储配置逻辑。

以AI手机为代表的智能终端，正逐步提升单机存储容量，为NAND带来潜在的增量空间。

尤其在2026年下半年，随着更多搭载大模型能力的设备上市，这一趋势有望加速兑现。

哪些方向可能会受益

在这轮由“产能稀缺”驱动的存储周期中，或许：

1、具备先进封装与HBM配套能力的封测厂商

虽然HBM挤占了传统存储产能，但其本身也催生了新的产业链机会。

HBM依赖2.5D/3D先进封装技术（如CoWoS、TSV等），对封测环节提出更高要求。

拥有相关技术储备、且已进入头部原厂或AI芯片客户供应链的封测企业，有望在HBM放量过程中获得收益。

2、国产存储原厂及模组厂商

尽管全球大厂重心转向HBM，但DDR3/DDR4、SLC NAND、eMMC等成熟制程产品仍广泛应用于工业、汽车、物联网等领域。

这些“利基型”存储需求稳定，且对价格敏感度较低。

部分国内存储模组厂商凭借灵活的产能调配能力和本地化服务优势，正加速切入这一被国际大厂短期不重视的市场，有望迎来份额提升窗口。

3、存储主控芯片与配套IP供应商

NAND涨价不仅影响颗粒本身，也带动SSD主控、eMMC控制器等配套芯片的需求。

尤其在企业级SSD和AI终端设备中，高性能、低延迟的主控芯片成为关键瓶颈。

具备自研主控能力或拥有高速接口IP（如PCIe 5.0、UFS 4.0）的芯片设计公司，有望随存储模组升级同步受益。

写在最后

综合来看，本轮存储芯片行情的核心驱动力或许已从过往的价格弹性，转变为产能的结构性稀缺。

在供给难以快速响应、需求持续扩张的双重作用下，价格上行趋势可能具备较强支撑。

特别声明：以上内容绝不构成任何投资建议、引导或承诺，仅供学术研讨。

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