小米3纳米芯片发布在即，老刘给你提个醒！

文·刘亚东

小米战略新品发布会今晚7点举行。5月19日，雷军在微博宣布即将发布3纳米制程的"小米玄戒O1"芯片，舆论场瞬间沸腾，很多人欢呼小米“造出了”3纳米芯片。网民们的兴奋之情可以理解，但老刘愿意少睡一小时写篇文章提个醒，让大家明白一个基本事实：小米只是该芯片的设计方，而真正的制造商是台积电。这就好比一位厨师研发了新菜谱，但做菜的是另一位大厨，两者虽有关联，但不能混为一谈。芯片生产是一个极为复杂的过程，设计与制造是其中两大关键环节，各有其技术难点和产业意义。

图源：雷军微博

从设计角度看，小米能够成功设计出 3 纳米芯片，确实体现了其在芯片研发领域的进步。就拿玄戒 O1 芯片来说，其采用台积电第二代 3nm 工艺制程，晶体管数量达 190 亿个，性能可比肩高通骁龙 8 Elite 和联发科天玑 9400，甚至实现了部分超越。雷军表示，截至 2025 年 4 月底，玄戒累计研发投入已经超过了 135 亿人民币，研发团队超过2500 人。这标志着小米成为继苹果、高通、联发科后，全球第四家拥有 3nm 手机 SoC 自研能力的企业，是中国内地3nm 芯片设计的一次突破。玄戒 O1 芯片问世，体现了小米在芯片设计领域的实力和潜力。

但制造环节更是难中之难。芯片制造需要极其精密的设备和复杂的工艺流程，台积电凭借对ASML EUV光刻机的优先采购权（是ASML股东），以及二十余年技术积淀，构建了难以复制的制造护城河。三星3nm制程良率仅20%的教训表明，即便拥有先进设备，工艺know-how的积累仍需数十年的持续投入。目前我国最先进的中芯国际N+2工艺（等效7nm）良率据说刚突破50%，与台积电N3E的75%存在代际差距。这就如同建造高楼，小米相当于建筑设计师，绘制出了精美的蓝图，但真正将高楼从地面拔地而起的是施工团队，也就是台积电。如果没有台积电先进的制造能力，小米的设计也只能停留在纸面上。

认清这一事实，并非是要否定小米在芯片设计方面的成就，而是为了让大家对中国芯片产业的现状有更清醒的认识。当前，中国芯片产业在设计和制造方面都面临着挑战。在设计领域，虽然华为海思、小米等企业不断取得进展，但与国际先进水平相比，在芯片架构创新、核心算法优化等方面仍有不小差距。一些高端芯片的设计仍然依赖于国外的架构授权，自主创新能力有待进一步提升。例如，小米此次发布的玄戒 O1 的 CPU 架构采用的是 ARM公版，GPU 来自英国 Imagination 授权。在制造领域，由于受到外部技术封锁等因素影响，国内芯片制造企业在先进制程工艺上暂时还无法望台积电之项背，这是我们必须直面的现实。尽管近年来国内企业在部分工艺上取得突破，但在高端光刻机等关键设备的自主研发和应用上仍面临重重困难。

图源：微信公众号平台AI生产（提示词：芯片）

所以，当我们看到小米 3 纳米芯片的消息时，一方面应为小米在芯片设计上的进步喝彩，鼓励更多企业加大研发投入，提升中国芯片设计的整体水平；另一方面，也要认识到芯片制造才是中国芯片产业的短板，需要长期不懈努力来突破制造环节的技术瓶颈，实现设计与制造的协同发展，这样方能真正推动中国芯片产业迈上新的台阶。

中国的集成电路产业一路坎坷走来，始终在封锁中突围。回想40年前，老刘正在清华大学电子工程系就读硕士研究生，毕业论文是设计和制作美国NOAA气象业务卫星信息计算机实时接收的硬件接口设备。通过这个接口，美国的卫星数据进入了中国的计算机，第一次让国人看到数字化的实时气象云图。接口设备要用到数以百计的各类芯片。所以，那时的小刘经常骑着自行车揣着支票，游逛于中关村电子一条街的大店小铺。以动态随机存储器（DRAM）为例，1986年，中国华晶电子集团公司研制成功第一块64KB DRAM，而日本东芝每月1MB DRAM产量已经超过100万块。可以说，在集成电路领域，老刘亲眼见证并亲身感受了西方国家不断封锁、中国不断突破的悲怆历史。

站在半导体产业发展新的历史节点，我们既要为设计端的突破喝彩，更要清醒认识制造端的挑战。当下需要构建"设计-制造-设备"的协同创新生态：据悉，华为联合中芯国际实现14纳米叠加工艺突破，上海微电子28纳米光刻机即将交付验证，这些正在形成的技术攻关范式有望成为破局之道。2022 年曾有多家媒体报道，长江存储的128 层 3D NAND 闪存已通过苹果验证，或已进入苹果供应链。这一事件或许具有启示意义：芯片战争没有终局，唯有持续投入与开放合作，方能获得持久的全球竞争优势。