金融界2025年7月5日消息,国家知识产权局信息显示,国际商业机器公司申请一项名为“高密度静态随机存取存储器”的专利,公开号CN120266590A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,一种半导体存储单元,包括在晶片上的六个垂直传输场效应晶体管(VTFET)。该六个VTFET在第一层中。该六个VTFET在第一行中。
本文源自金融界
更新时间:2025-07-08
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