打破光刻机封锁，首台国产光刻机交付，外媒：中西差距越来越小了

芯片这玩意儿现在就是现代工业的核心，缺了它啥都玩不转。美国作为芯片老大，早几年就开始搞封锁，目的就是卡住中国的发展。2020年，美国把华为列入实体清单，台积电没法给华为供货，ASML也停了DUV光刻机的出口。

2023年初，美国拉着荷兰和日本签协议，进一步管制28nm和14nm设备。中国企业一下子就卡脖子了，生产链条断了，成本蹭蹭上涨。大家意识到，靠进口不是长久之计，得自己动手搞定核心技术。

封锁一波接一波，2023年10月，美国又更新规则，针对AI芯片和云计算。2024年，荷兰限制更高级的ArFi光刻机出口，日本也跟进，禁止23种设备输出。

中国进口渠道越来越窄，价格也水涨船高。企业们没坐以待毙，中科院和华为加大投入，攻关光刻胶和光源系统。哈工大2023年2月搞出高速激光干涉仪，支持350nm到28nm工艺测试。这东西帮大忙，解决了光刻机定位精度问题。

上海微电子是国产光刻机的主力军，从2002年起步，一步步从90nm推进。2023年，他们的SSA600系列能做90nm工艺，已有量产。7月，有消息说28nm浸没式光刻机年底交付，但后来有些报道被撤回，可能是宣传过头。

实际进展是，2023年8月，两台90nm光刻机送到昆山同兴达，每台1800万人民币。工厂上线后，运行正常，用在芯片封测上，提升了产能。

2023年12月，张江集团官微说上海微电子研制出28nm光刻机，但很快就改了内容。看来技术在迭代，但还没到大规模交付。

外媒注意到了，日本媒体报道中国可能成第三个掌握光刻机制造的国家。差距确实在缩小，高盛报告说中国光刻机停在65nm，但实际2024年工信部目录显示ArF光刻机分辨率65nm以下，套刻精度8nm以内。这标志着首台套装备进入推广阶段。

工信部2024年9月正式印发首台套目录，列出KrF和ArF光刻机。KrF是248nm光源，ArF是193nm，能做更精细的芯片。

这意味着国产设备从实验室走向应用。上海微电子的ArFi机型国产化率超85%，但光源和镜头还有进口依赖。2024年上半年，他们交付多套系统，支持65nm工艺。企业间合作紧锣密鼓，共享数据，加速测试。

封锁反倒刺激了中国创新。2024年，中国光刻机产量124台，市场规模160亿，虽然需求727台，缺口大，但自给率在爬升。

芯片进口量减了，英特尔中国收入从2019年的200亿降到2023年的148亿。AMD也从52亿掉到34亿。美国企业着急，英伟达说离不开中国市场。国内转战新赛道，中科鑫通2023年建光子芯片生产线，本源量子2024年1月出悟空芯片，72个量子比特，已适配计算机。

外媒看法两极分化。纽约时报2023年说美国收紧出口，影响荷兰和日本厂商，但中国在追赶。韩国媒体2024年报道，技术差距缩小，但时间窗口有限。

日媒强调，中国从90nm跨到65nm，花了6年努力。美媒提到荷兰阿斯麦抵制美国要求，捍卫自家利益。总的看，西媒承认中西差距在变小，但认为顶级EUV还需时间。

2025年是关键节点。外媒Wccftech报道，中国自产EUV光刻机用LDP技术，能量效率高，体积小。首台样机SMEE-3600在华为东莞工厂测试，计划2025年第三季度试产，2026年量产。

供应链国产化率60%，成本比ASML低。工信部支持下，2000家企业联盟，注资15亿。专利显示，上海微电子2025年公开极紫外辐射装置。

芯片自给率2023年23%，2024年超20%，2025年目标30%。设备自给超50%。光刻机涉及10万零件，组装复杂，但突破光源和光刻胶后，自信心上来了。

英伟达2025年中国收入预计缩水9亿。企业调整策略，继续合作。中国厂商在量子和光子领域弯道超车，寒武纪设计份额扩大。

美国封锁从2020年到现在，层层加码。2025年1月，新规限制AI出口，覆盖先进集成电路。中国备库存，继续生产。

封锁砸了美国自家饭碗，科技业裁员8万，市值蒸发27万亿。高通和AMD公开说离不开中国。国内企业相互协作，上海微电子扩产，计划增产能。全球半导体设备进口中国占比高，但国产替代在加速。

光刻机不是砸钱就行，得一步步攻关。上海微电子从90nm到28nm，花几年时间优化设计。2025年9月，28nm浸没式关键部件国产率85%。测试批次上千次，确保稳定性。

外媒分析，中国在成熟制程上追赶快，但EUV是硬骨头。港媒说，自给之路任重道远，但进展显著。

2025年，中国光刻机市场规模预计315亿全球份额。ASML中国销售额2024年占49%，但限制加码后，转卖中低端机。ArFi占比50%，EUV31%。

国产机价格低，性价比高。芯碁微装2024年营收7亿，增长37%，直写光刻设备用在IC和MEMS。合肥芯碁等公司推MAS和RTR系列，应用在先进封装。

芯片巨头调整，高NA EUV技术NA值0.55，分辨率8nm。国产LDP效率2.3%，优于ASML0.8%。试产后，稳定性优化是重点。ASML高管说中国需多年，但专利显示进展稳。供应链联盟，成本降30%。2025年论坛讨论电子特气，前驱体市场12亿。

国产光刻机从封测到逻辑制程，步步推进。昆山同兴达2023年引进两台，工艺包括涂胶曝光显影。参数优化，缺陷率降。2024年，FPD光刻机份额增。外媒称，中国放弃LPP，转LDP，设计高效。试产节点敲定，宣告自主力量。