英伟达800V架构唯一中国芯片供应商！第三代半导体企业爆红，股价飙涨31%

芯东西（公众号：aichip001）

作者 | ZeR0

编辑 | 漠影

芯东西8月1日报道，今日，英伟达（NVIDIA）官网更新800V直流电源架构合作商名录，其中芯片供应商只有一家是中国芯片企业——英诺赛科。

通过合作，英诺赛科为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，其技术路径已获微软、谷歌等科技巨头跟进。

此次合作将推动800V直流（800 VDC）电源架构在AI数据中心的规模化应用，将单机房算力密度将提升10倍以上，助力单机柜功率密度突破300kW，推动全球AI数据中心正式迈入兆瓦级供电时代。

受此消息影响，今日英诺赛科股价上涨30.91%，最新总市值为515亿港元。

随着大模型蓬勃发展，AI集群算力功耗暴涨带来电力成本压力。

根据Gartner预测，2027年全球AIDC年新增耗电量将达500TWh，较2024年几乎翻倍，电力成本占数据中心总运营支出的40%以上。

传统54V低压架构在单机柜功率超200kW时遭遇物理极限，传统供电架构已难以负荷高密度算力集群的庞大能源需求，效率瓶颈与能耗压力成为阻碍AI产业迈向新高度的核心制约因素。

当前AI训练集群单GPU功耗突破10kW，英伟达Rubin Ultra等下一代平台更将机柜总功率推至600kW以上。

英伟达主导的800 VDC架构有两大特点：

（1）电网直连高压化：将13.8kV交流电直接转换为800V直流，减少AC/DC转换环节，端到端能效提升5%；

（2）材料与空间优化：电压提升使铜缆用量减少45%，机房占地面积缩减40%，单机柜功率密度支持600kW以上。

为什么选英诺赛科合作呢？核心原因跟第三代半导体材料氮化镓（GaN）有关。

对于追求极致能效与紧凑设计的新一代AI供电系统而言，氮化镓是突破传统供电方案技术瓶颈的最佳材料方案之一。

传统硅基器件因开关频率低、耐压能力弱，难以支撑高功率密度下的高效电能转换。氮化镓（GaN）凭借多项独特性能成为800V架构的理想载体：

• 高压适配性：3.4eV禁带宽度（硅材料的3倍），在800V高压环境依然能保持稳定性；
• 能效跃升：电子迁移率达硅器件3倍，能源转换损耗降低30%，峰值效率突破98%；
• 空间压缩：相同功率下体积仅为硅器件的1/5-1/3，功率密度提升至92.4W/cm³，机房占地面积可缩减40%，在AI数据中心的有限机房及机柜空间内塞入更多供电模块，支撑更高密度的算力集群。

英诺赛科具备从衬底、外延、芯片设计到封装测试的IDM全链优势：

（1）工艺制造能力：自主研发的8英寸GaN-on-Si量产线，良率达95%以上，推动成本下降40%，是目前业界最先进的生产线之一，产能居行业首位；

（2）技术领先：第三代GaN器件高频效率达98.5%，支持15V-1200V全电压场景；

（3）方案创新：高压/中压/低压三级DC-DC转换架构，系统性提升整体转换效率，实现从电网到GPU的端到端的高效传输。

随着800 VDC架构的规模化落地，预计将使数据中心总能耗降低20%-30%，年减碳数千万吨，同时机房空间需求缩减40%。