怪不得我们在反制荷兰的时候会如此有底气，如此强硬，原来我国已经悄悄研制出了与光刻机并列的核心设备，在此之前，该款设备我们完全依赖从美国日本等方面进口。

去年荷兰方面采用非法强制的手段抢夺我们的企业，在与之对峙的过程中，我国表现出了强大的战略底气，明确向荷兰方面提出了原则性的条件，并且在此基础上没有丝毫的退让。这也使得荷兰方面想要通过威胁我国芯片制造的想法彻底破灭。因为在此之前，荷兰人曾经认为离开了西方技术之后，中国在芯片制造方面肯定要有求于自己，但万万没有想到我们并没有按照他们的套路出牌。

面对荷兰方面的抢劫，我国丝毫没有退让，最终让荷兰方面得到的只是一栋空荡荡的大楼而已。

不过在芯片制造相关领域，我国在一些核心技术和装备方面确实长期依赖包括荷兰在内的美西方技术和设备。这也是荷兰敢于直接强抢的原因之一，那么这次我国如此强硬反制荷兰的底气到底来自于哪里呢？对于这个问题，从近期我国相关媒体发布的一则消息中，似乎就能够找到答案之一。

根据中国日报近期发布的消息可以得到，18号当天，中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束，核心指标达到了国际先进水平。而这次研制成功，也标志着我国全面掌握了串列型高能氢离子注入剂的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链的关键环节。为推动高端制造装备自主可控，保障产业链安全奠定了坚实的基础。

要知道，离子注入机和光刻机，刻蚀机，薄膜沉积设备并称为芯片制造行业的四大核心装备，这是半导体制造不可或缺的刚需设备。而在此之前，我国并没有相应的自主技术和设备，所以长期以来主要依靠从美国和日本等企业的进口。这次我国的研制成功，可以说在芯片制造关键领域中直接结束了卡脖子的历史。

这种设备的核心作用，是把氢离子加速到兆电子伏特级，并精准地注入半导体材料的深层，从而达到改变其电学特性，为芯片制造做精密掺杂。

这种设备主要是被应用于功率半导体制造，比如新能源汽车的IGBT，SIC，GaN第3代半导体器件，智能电网高压开关等等。可以做到有效击穿电压，降低能耗与漏电流，对于我们的双碳目标大有好处。还可以用于SOI晶体制备，能够实现智能剥离技术，制造高性能的CPU，射频芯片所需的soi衬底，降低寄生电容，有效提升运行速度和降低功耗。另外还对于先进储存与特色工艺大有帮助。

而这套技术和设备被攻克和研发出来之后，具有四大意义。

第一，直接打破了技术垄断

美国和日本等企业对于该技术和设备的垄断长达30余年，我国这次研制成功直接成为全球第3个掌握该技术和设备制造的国家，实现了从核心零件到整机集成的正向设计，使我国相关领域不再受限于进口设备的供应窗口。

第二，对于产业链的安全起到了有效的保障作用

该项技术和设备的突破补齐了我国芯片制造四大核心装备的最后一片高能拼图，形成了低中高能全谱系覆盖，可以直接适配12英寸产线，未来可以有效的降低地缘局势的波动对于供应链的冲击。

第三，助力战略产业

这里所指的战略产业主要是我国的光伏储能，智能电网和新能源汽车等领域，不仅可以帮助我国的这些领域在内部发展，而且对于这些领域拓展国外市场拥有自主和先进的技术性也大有帮助。

第四，提升了竞争力

这项设备和技术被突破之后，相关行业，比如牵引高压电源，真空系统，磁分析器等上游零部件将会更大程度的国产化。完善我国半导体装备的自主生态。一方面降低成本，另外一方面大大提高在国际市场上的竞争力。

所以从以上几方面的分析中，我们就能够明显感觉到这次我国在高能氢离子注入机方面的重大突破所产生的深远意义。从技术实力层面来说，这也是我国在面对荷兰这样的强盗行径的时候，能够守住原则，强硬反击的底气。

消息参考来源:

“我国首台，研制成功！”—中国日报，2026年1月18号