比稀土技术门槛更高的东西出现了！

中方亮出“新王牌”，在新赛道上一骑绝尘，突破美芯片制裁禁令。

重新塑造全球产业链格局，精准打击美国芯片产业链。

光子芯片领域突破

在光子芯片领域，中国技术已经实现了颠覆性的创新。2025年6月，首条6英寸薄膜铌酸锂光子芯片生产线量产下线，其调制带宽达110GHz。

远超美国HyperLight公司主力产品，插入耗损＜3.5dB，波导耗损＜0.2dB/cm，技术指标已经达到国际领先水平。

传输速度进阶光速，是电子芯片的千倍以上，耗能降低90%，解决了电子芯片发热瓶颈，带宽支持6G通信和量子计算场景。

目前中国已经实现从材料、器件再到涉及软件的全链国产化，彻底绕开了美国的技术封锁，美国《芯片许可令》主要针对电子芯片，对光子芯片没有限制。

中国已经有60多家企业布局光子集成，主要应用于AI数据中心互联、6G通讯主干、量子计算领域。

如果中国加速光子标准在全球推广，可能会迫使美国在AI、6G等领域依赖中国技术，从而形成返卡“美国脖颈”的现象。

核心材料“卡脖子”

中国对镓、锗、锑、碳化硅等关键材料进行了严格的出口管制，直接冲击美国半导体行业，这些材料是制造芯片、5G通讯、军事雷达的核心材料。

而中国在全球供应链市场上，占据着绝对的主导地位，中国的镓产量占据全球90%以上，应用于基站和卫星通信。

中国供应了全球68.5%的锗，用于红外成像和太阳能电池，同样也是美国军工的关键材料。这些材料技术门槛极高，需要提纯和深加工，工艺极其的复杂。

中国研发的高纯镓纯度达到99.9999%，美国严重依赖中国的供应，出口管制后，美国新农片制造商面临成本升高和产能受限的问题，这对于AI芯片领域影响极大。

在第三代半导体材料领域方面，中国已经改写了全球的规则，第三代半导体材料具有高频、高温、高功率特性，是新能源汽车和国防装备的核心。

首先是碳化硅沉底，中国已经实现8英寸碳化硅晶圆产量，技术指标达到国际领先水平。

山东天岳的产品已经被列入国家战略物资，打破了美国对高端沉底的垄断市场。

在碳化镓频射器领域，中国的市场份额在不断地提升，华为、中芯国际等企业已经实现了自主可控的生产能力，大大削弱了美国在5G通讯市场领域的优势。

钍基熔盐堆技术领先世界

中国在第四代核电技术，钍基熔盐堆上去的全球领先水平，成为唯一一个实现稳定运行的国家，其背后的战略价值极大。

其实中国的铀矿储量已经位居世界前列，可以满足上千年需求，摆脱对进口铀矿的依赖程度。

小型熔盐堆可以用于核动力航母、潜艇和太空基地，提升远洋作战和航空能力，钍基熔盐堆在技术门槛上远超过稀土。

其研发涉及材料学、核工程、高温工艺等等领域，美国短期时间根本难以突破，中国用了15年攻克了高温熔盐腐蚀、在线换料等核心难题。

为能源自主和科技反制都提供了战略支撑，从科技领域“卡美国脖子”，制裁不再是美国的专属名词。

光刻机技术突破

而美国对中国的光刻机制裁，也被中国突破，目前中方在极紫外光刻技术上取得重要的进展，中科院上海光机所开发的LPP-EUV光源达到国际领先水平。

尽管还未完全商用，但是该技术突破为自主研发光刻机奠定了基术，EUV光刻机是制造7纳米以下先进制程芯片的核心设备，中国的进展将减少ASML等外国企业的依赖。

如果未来可以实现EUV光刻机量产，中国可以在半导体制造设备领域形成反制能力，对冲美国出口管制的影响。

除了材料外，中共对半导体设备、软件工具实施了更加严格的审查，并且将美企列为“实体清单”，限制其获取中国技术。

国家集成电路产业投资基金持续投入，华为昇腾芯片、中芯国际先进制程等项目加速推进，国产替代率有了明显的提升。

目前国内企业审慎采购美国芯片，避免对其过度依赖，同时也在推动与欧洲、东南亚的合作，意法半导体与华虹半导体合作，生产40纳米的芯片。

美国也因为芯片禁令付出惨痛代价，英伟达对华出口限制预计将损失55亿美元，而美国的封锁反而加速了中国技术的迭代。

华为昇腾芯片采用自主架构，完全绕开了美国技术，中国AI企业优化算法，以低成本接近美国GDP-4的性能。

中国“一带一路”和金砖国家冲洗构建了半导体产业的“朋友圈”，马来西亚、新加坡的芯片代工厂，已经成为中国获取先进装备的中转站，间接绕过了美国的封锁。

金砖国家也已经就第三代半导体技术达成互相认同，减少对西方的依赖，中国还联合欧洲推动了光子芯片国际标准制定，争取到了规则的主导权利。

中国内需市场，比如新能源汽车和智能电网，消化了国产芯片产能，2024年成熟制程芯片产量增加40%，预计将在2030年主导全球供应链。

中国已经亮出“新王牌”来反制美国芯片禁令，感谢那些为祖国做出巨大贡献的学技术人员！对此你怎么看呢？欢迎在评论区留下你的观点。

文/编辑：来块儿月饼

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