兴福电子获得发明专利授权：“一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兴福电子（688545）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种利用聚焦离子束制备TEM孔隙样品的方法”，专利申请号为CN202411831653.4，授权日为2025年8月29日。

专利摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及深度较大的孔隙样品，提供了一种采用聚焦离子束（FIB）制备孔隙样品观察底部结构的方法。该方法通过将离子减薄专用树脂填充入孔隙内部、引入改进的倒切技术等手段，解决了现有技术中制备样品时产生的孔隙结构变形、聚焦离子束对孔隙内部损伤大的问题，本发明的技术效果在于它能够提高孔隙样品底部结构的稳定性、避免减薄过程中对孔隙结构的损伤。

今年以来兴福电子新获得专利授权26个。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3923.73万元，同比增38.91%。

通过天眼查大数据分析，湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目163次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息399条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可275个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。