突发！美光HBM4供应份额已被清零

2月10日，行业分析机构SemiAnalysis发布的最新报告显示，下一代高带宽内存（HBM4）市场将由韩系厂商SK海力士与三星彻底主导，美国厂商美光（Micron）因技术路线选择失误，已痛失英伟达下一代Rubin芯片的HBM4供应订单，其在该平台的供应份额恐将降至0%。

报告明确指出，美光在NVIDIA Rubin平台的HBM4供应份额已被“清零”。与之形成鲜明对比的是，韩系双雄将瓜分全部订单——市场预计SK海力士将拿下约70%的份额，剩余30%则由三星收入囊中，这也意味着韩系厂商将全面垄断这一高端内存核心市场。

美光此次遭遇市场滑铁卢，核心症结在于技术路线的选择偏差。为降低生产成本并掌控供应链主动权，美光采取了内部自主设计、制造HBM4基础裸片（Base Die）的“单打独斗”策略，这与竞争对手的合作模式形成了鲜明差异。

不同于SK海力士选择与台积电强强联手、三星拥有自家逻辑代工能力，美光的独立研发生产模式不仅引发了严重的散热问题，其产品的引脚速度（Pin Speeds）也未能达到英伟达的客户标准。更为关键的是，美光不愿转向更先进的外部制程节点，最终导致自身在关键性能指标上被SK海力士、三星远远拉开差距。

除了技术瓶颈的制约，时间差更是成为压垮美光的致命一击。目前，英伟达的Vera Rubin芯片已正式进入“全速生产”阶段，对应的供应链合作名单已基本锁定，这也意味着美光已错失进入该供应链的最佳窗口期。

尽管美光并未完全放弃，计划通过重新设计基础裸片、优化供电网络等方式进行调整，并于2026年第二季度再次提交英伟达进行资格测试，但从当前市场格局和时间节点来看，其挽回订单的希望已然渺茫。

三星此次能顺利拿下30%左右的订单，也是其技术突破的体现。此前三星在HBM3供应中曾遭遇延误困境，而此次其率先达到了英伟达要求的HBM4引脚速度，成功摆脱此前的阴影，与SK海力士携手巩固了韩系厂商在高端内存市场的主导地位。

转自：半导体创芯网