格芯德累斯顿取得共集成高压和中压场效应晶体管与防缺陷结构专利

金融界2025年7月1日消息,国家知识产权局信息显示,格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司取得一项名为“共集成的高压(HV)和中压(MV)场效应晶体管与防缺陷结构”的专利,授权公告号CN114446996B,申请日期为2021年11月。

本文源自金融界

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更新时间:2025-07-02

标签:科技   晶体管   高压   缺陷   效应   专利   结构   金融界   国家知识产权局   有限责任   本文   日期

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