爱思开海力士申请半导体器件及其制造方法专利，可用于制造半导体器件

金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120239265A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法，包括：通过在下结构之上顺序形成第一堆叠、凹陷目标层和第二堆叠来形成包括第一区和第二区的堆叠体；在第一区中形成牺牲隔离层；在第一区中形成多个垂直开口；在第二区中形成多个焊盘隔离开口；通过垂直开口和焊盘隔离开口从第一区和第二区去除第一堆叠和第二堆叠；以及通过使堆叠体的凹陷目标层凹陷来在第一区和第二区中的每一个中形成初步水平层。

本文源自金融界