全球首颗！中国成功研发

记者9日从复旦大学获悉，该校集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，解决了存储速率的技术难题。相关研究成果8日发表于国际学术期刊《自然》。

封装后的二维-硅基混合架构闪存芯片（带PCB板）

二维-硅基混合架构闪存芯片光学显微镜照片

这是复旦大学继“破晓（PoX）”皮秒闪存器件问世后，在二维电子器件工程化道路上的又一次里程碑式突破。

这一成果将二维超快闪存与成熟互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺深度融合，攻克了二维信息器件工程化的关键难题，率先实现全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片的研发。产业界相关人士认为，这种芯片可突破闪存本身在速度、功耗、集成度上的平衡限制，未来或可在3D应用层面带来更大市场机会。

来源：科技日报（记者王春 通讯员沈涵），图片：复旦大学