存储巨头，加紧扩产

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为满足人工智能（AI）普及带来的存储芯片需求增长，三星电子正计划扩大其位于平泽的半导体工厂的产能。在决定恢复平泽5号生产线（P5）的建设后，该公司已启动关键基础设施的招标程序，并且有迹象表明，平泽4号生产线（P4）的设备引进时间正在提前。

29日，业内人士透露，三星电子正积极推进平泽P5工厂气体和化学品供应设备的招标流程。气体和化学品工艺设备是生产线建设中至关重要的组成部分。通常情况下，设备订单会在框架搭建完成后才下达，但此次为了加快批量生产进度，该公司据称将采取“快速通道”策略，即框架搭建、设备订购和安装工作同步进行。

具体来说，P5是三星电子在平泽第二园区正在推进的一条新生产线。内部决策机构近期决定启动框架建设，目标是在2028年投产。然而，鉴于电子和IT行业正面临存储芯片严重短缺的困境，且预计从明年开始供应短缺情况将进一步恶化，因此有人预期P5的投产时间可能会提前。

据报道，全球工业气体公司和韩国韩国设备企业正准备参与竞标。潜在竞标者包括林德集团、液化空气集团、汉阳气工（默克）、沃尼克控股、汉阳工程和STI。总投资额预计至少数千亿韩元，最高可达万亿韩元。

一位熟悉三星电子的消息人士表示：“P5项目的投资进展速度前所未有。通常情况下，诸如燃气和化工设施等‘公用设施’部件会在机架建造完成后才进行，但这次似乎决定同步投资。”他补充道：“这反映了管理层的判断，即公司必须迅速应对市场状况。”

三星电子筹备已久的P4产能扩建投资，将成为其10纳米第六代（1c）DRAM生产的核心，如今也正演变成一场速度竞赛。据报道，P4设备的搬入和试运行目标时间已提前两到三个月。这款1c DRAM将应用于第六代HBM（HBM4）芯片，而HBM4正是明年AI内存市场竞争最为激烈的领域。

对尖端工艺的投资也在持续进行。三星电子此前已决定推出高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）设备用于量产，并正迅速响应下一代精细工艺的需求。对于极紫外光刻设备而言，交付前必须先搭建各种辅助设备和平台。业内人士认为，这与三星电子近期大举订购设备密切相关。

主要设备合作伙伴也正努力跟上三星电子的投资步伐。一家韩国大型设备制造商的负责人表示：“三星电子的订单量超出预期，而且速度非常快，交货期限非常紧迫。”他补充道：“尽管时间紧迫，韩国设备制造商仍在调动所有生产线尽力满足进度要求，但一些海外公司却表现出犹豫。”

SK海力士的M15X将于明年5月开始运营

SK海力士是半导体行业首家开始量产第六代高带宽存储器（HBM）HBM4的公司，计划发起大规模供应攻势，瞄准明年的人工智能（AI）半导体市场。

据业内人士透露，SK海力士将于明年5月完成M15X晶圆厂首个洁净室的建设并开始试生产。M15X是SK海力士投资超过20万亿韩元的主要生产基地。该工厂计划生产目前的主要产品HBM3E，以及将于明年初开始量产的HBM4。据悉，该工厂还将引进用于生产第七代产品HBM4E的10纳米（nm，十亿分之一米）级第六代DRAM的生产线。

M15X工厂将配备两间洁净室，其中一间将于明年5月竣工。洁净室建成后，工厂将开始试生产，预计大约6个月后即可投入量产。如果一切按计划进行，M15X工厂的首间洁净室将于明年11月左右开始量产。此外，SK海力士计划在明年年底前完成第二间洁净室的建设。M15X工厂预计将于2027年中期满负荷运转，届时基于12英寸晶圆的DRAM月产量预计约为5万片。

SK海力士正在加速提高DRAM产量，因为这是一个克服全球人工智能半导体供应短缺、提高销售额和市场主导地位的机会。

目前，包括美国、中国、日本和欧洲在内的全球各国和企业正投入数千亿韩元，力图在人工智能产业中占据领先地位。然而，人工智能需要图形处理器（GPU）来处理海量数据，还需要超高性能、低功耗的动态随机存取存储器（HBM）来确保推理和计算能力。

然而，用于制造高性能人工智能芯片的HBM（人脑内存模块）面临着供不应求的局面。目前，只有三家公司具备生产用于高性能人工智能芯片的HBM3E（第五代）和HBM4的能力：SK海力士、三星电子和美国的美光科技。在这种市场格局下，提高HBM产量的公司必然会获得更大的市场主导地位。SK海力士计划通过以下策略实现双赢：首先，将于明年2月率先在全球范围内量产下一代产品HBM4；随后，提高目前市场需求最高的HBM3E的产量。

SK海力士此次增产计划也包含进一步拉开与竞争对手差距的策略。SK海力士的DRAM月产能为50万片晶圆，即使加上M15X芯片，也只能达到55万片。相比之下，三星电子的月产能高达65万片晶圆。

HBM是一种高性能存储半导体，由DRAM堆叠而成。三星电子凭借其庞大的DRAM产能，正在恢复HBM的竞争力，导致市场格局波动。尤其值得注意的是，市场分析显示，三星电子（月产能17万片）的HBM产能已超过SK海力士（月产能16万片），因此三星电子正加速提升技术能力，以期量产HBM4。SK海力士则计划通过先进技术和提升HBM3E的产量，抢占先机，量产HBM4，从而摆脱三星电子的追赶。

SK海力士计划短期内通过M15X晶圆厂加入产能争夺战，中长期则着眼于龙仁半导体产业集群。龙仁产业集群一期晶圆厂总投资120万亿韩元，预计于2027年5月竣工。一期晶圆厂共包含6间洁净室，将陆续建成投产，直至2030年。一期晶圆厂满负荷运转后，每月将新增约35万片晶圆产能，使SK海力士的总产能显著提升至每月90万片。

金融投资行业预测，由于SK海力士率先实现HBM4量产并提高HBM3E的产量，其市场份额明年将超过50%。三星电子预计将保持在30%左右，而美光预计将保持在20%左右。尤其值得一提的是，随着英伟达下一代AI加速器Rubin将于明年第四季度发布，SK海力士的HBM4供应量极有可能大幅增长。SK海力士计划于明年2月开始HBM4量产，并于5月启动M15X的生产，从而巩固其在HBM领域的领先地位。一位业内人士表示：“HBM市场现已进入第二轮，稳定的供应能力已成为超越技术竞争的核心竞争力。”他预测：“明年2月HBM4的量产和5月M15X的投产将是SK海力士巩固其‘第一’地位的关键时刻。”

与此同时，SK海力士有望凭借其在高价值高分子骨微电机市场的领先地位，继续创造公司历史上最佳业绩。今年第三季度营业利润达11.383万亿韩元，预计第四季度利润将达到15万亿韩元。预计明年全年营业利润将高达93万亿韩元。

参考链接

https://biz.chosun.com/en/en-it/2025/12/29/OYTP74HKCJHZZL5ZC64FLIF2W4/

（来源：编译自chosun）

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