国产光刻机到底如何？ASML：至少有10年以上差距

光刻机是芯片制造的核心设备，全球能造光刻机的厂商就四家：荷兰ASML、日本尼康、佳能和中国上海微电子。

这四家技术差距大得很，尤其是造7nm以下芯片的EUV光刻机，全天下只有ASML能造。

但大家也都清楚，美国卡着脖子不让ASML卖EUV给中国，连高端浸润式DUV都限制，逼得咱们必须自己搞光刻机。

那现在国产光刻机到哪步了？上海微电子的SSA600是公开的最强型号，能搞定90nm、110nm、280nm的芯片工艺，8寸、12寸产线都能用。

还有去年有曝光的氟化氩光刻机，套刻精度能到8nm，算是离浸润式DUV最近的产品，能应付28nm工艺。但问题在于，只要没摸到浸润式DUV的门，再先进也有限。

ASML的CEO说过，限制卖光刻机给中国，反而可能逼出中国自己的先进光刻机。但人家也直说，中国技术至少落后ASML十年。为啥？ASML十多年前就搞出了浸润式DUV，咱们现在连浸润式DUV都没完全搞明白，这十年差距不是白说的。

美国打压中国芯片产业的核心就是光刻机。要是咱们能造出自己的EUV光刻机，那芯片封锁就彻底失效了。但EUV这玩意儿有多难？真不是三五年能搞定的，可能五年、八年甚至更久都悬。

说到底，光刻机不是靠砸钱就能速成的。它需要顶尖的光学、机械、材料、算法等多领域技术积累，还得有完整的产业链配合。咱们现在能造90nm、28nm的光刻机，已经不容易了，但离世界顶尖还差得远。

不过，差距大不代表没希望。从无到有、从有到优，每一步都难，但每一步都算数。只要坚持自研，哪怕每年进步一点点，十年后回头看，说不定已经追上不少了。毕竟，芯片产业是国之重器，除了咬牙追赶，咱没有退路。