俄罗斯：我们拥有EUV光刻机核心技术，会比中国更快造出光刻机！

俄罗斯最近在半导体领域放出话来，说他们手里握着EUV光刻机的核心技术，还能比中国更快把这玩意儿造出来。这话听起来挺大胆的，毕竟光刻机这东西一直是荷兰ASML公司的天下，美国、日本这些国家也卡得死死的。俄罗斯这么一说，搞得国际上不少人侧目，得好好挖挖背后的底细。

俄罗斯科学院下属的微结构物理研究所主导了这事儿，他们在2025年9月抛出一份路线图，规划从2026年到2037年逐步搞定本土EUV设备。他们的思路是走一条不同于ASML的路子，用11.2纳米的波长，而不是主流的13.5纳米。为什么选这个波长？据他们说，这样能避开一些技术瓶颈，用氙气等离子体做光源，减少锡滴碎屑的问题，整体设计更简单，成本也低点，适合中小型晶圆厂用。

俄罗斯的底气一部分来自苏联时代的老本。早在上世纪70年代，苏联就开始琢磨准分子激光，这东西后来成了光刻光源的基础。到了80年代，下诺夫哥罗德的微结构物理研究所搞出多层镜的制造方法，这种镜子能反射极紫外光。日本人在80年代中期借着这个基础，投影出第一张EUV图像，这事儿ASML的官网上都有记录。

研究所还给荷兰那边提供过样品，帮助他们建早期原型。俄罗斯人觉得，这些积累让他们在光学组件上不输人，能直接跳过浸没式DUV阶段，直奔EUV。话说回来，苏联那时候也研究过X射线光刻，目标是28纳米以下的制程，但90年代经济崩盘后，这研究就停摆了。俄罗斯现在捡起来，算是续上老路。

实际进展呢？俄罗斯从2022年开始加速本土光刻项目。下诺夫哥罗德的应用物理研究所宣布启动首套设备，目标从350纳米往下走。2023年11月，工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克在公开场合说，2024年就能投产350纳米机，2026年推进到130纳米。2024年5月，第一台350纳米光刻机在莫斯科组装好，主要用于汽车和能源芯片的测试。

这机器用固态激光，不是气态的，寿命长点，维护简单。到了2024年12月，微结构物理研究所公布EUV初步方案，选11.2纳米波长，氙气光源，避免了ASML那种复杂的光源系统。2025年9月，他们更新路线图：2026到2028年先出40纳米机，两镜物镜，10纳米叠加精度，曝光场25乘33毫米，每小时处理100片晶圆。接着2030到2032年搞28纳米，2034到2036年达9纳米，甚至提到2037年可能摸到7纳米边缘。

这份路线图由尼古拉·奇克哈洛领衔，他是微结构物理研究所的头头，强调俄罗斯的方案更实惠，不用像ASML那样堆那么多镜子，减少反射损失。俄罗斯国有企业Rosatom也掺和进来，负责开发高功率EUV光刻设备，目标是生产微电子产品。他们计划用钌铍反射镜，规避一些专利问题。俄罗斯工业部数据显示，到2025年，他们已经在激光和光学部件上投了不少钱，建了几个实验室测试原型。相比ASML那种动辄上亿美元的机器，俄罗斯的版本据说成本能压到更低，适合本土企业用，不求高通量，但够用就行。

现在说比中国更快，这得拉出来比比。中国在EUV上也下血本，上海微电子装备公司领头，2025年9月有报道说中国投了430亿美元进EUV研发，目标是突破光源和光学系统。中国的优势是产业链齐全，华为、中芯国际这些企业推动需求大。但俄罗斯人觉得他们有历史积累，在多层镜和光源上起步早。

中国从零起步，技术封锁下得自己摸索，进度慢点。举例说，中国目前主力还是DUV，7纳米靠多重曝光搞定，但EUV商用还得几年。俄罗斯路线图里，2028年就40纳米，2032年28纳米，2036年9纳米，如果按计划走，比中国的一些公开进度快点。中国有报道说2025年底可能出EUV原型，但细节不透明。俄罗斯媒体RBC报道，俄罗斯的方案避开了ASML的架构，潜在合作空间大，或许还能跟中国交换技术。

不过话说回来，俄罗斯这计划听起来好，但落地难。专家分析，俄罗斯半导体基础弱，人才流失严重，资金也有限。2025年10月，Tom＇s Hardware报道说俄罗斯路线图不现实，因为他们连DUV都没成熟，就直奔EUV。历史上看，苏联老技术没转化成产品，现在重启得从头练。

相比中国，中国有大量工程师和工厂，供应链更完整。俄罗斯目前光刻机还卡在350纳米，这相当于30年前水平，跳到EUV得跨大步。国际制裁下，俄罗斯进口部件难，Rosatom得自己造一切，从真空系统到精密镜子。Digitimes报道，俄罗斯EUV机目标65纳米到9纳米，够军工和能源用，但不跟台积电比。

俄罗斯的推动力是自力更生。2022年后，西方禁运光刻设备，俄罗斯只能靠自己。工业部2023年拨款建生产线，2024年组装第一台机，虽然落后，但象征意义大。微结构物理研究所的实验室里，科学家测试多层镜反射率，优化到纳米级精度。这工作从80年代延续，积累了数据。俄罗斯还跟白俄罗斯合作，Planar公司帮造部件。2025年3月，他们完成Alpha-Machine项目，演示短波长EUV光源，证明可行性。

跟中国比，俄罗斯声称优势在核心技术上。多层镜制造是关键，俄罗斯研究所是全球少数掌握的。中国也在追，但光源功率和镜子寿命是难题。2025年YouTube视频说俄罗斯EUV机挑战ASML垄断，或许重塑市场。但现实是，中国产量大，俄罗斯市场小。SemiWiki论坛讨论，俄罗斯方案像中国无掩膜数字光刻，但EUV版更先进。如果俄罗斯真在2036年出机，比中国一些预测的商用时间早两年。

挑战不少。资金上，俄罗斯预算紧，路线图需巨额投资。人才缺口大，很多专家去国外。技术上，EUV需要极高真空和精密控制，俄罗斯经验少。相比，中国有国家基金支持，进度稳。俄罗斯或许通过跟印度或伊朗合作，换取资源。但整体看，俄罗斯这声明更多是鼓劲，实际赶超难。

俄罗斯的EUV路不平坦，但有老底子。苏联时代的研究给现在铺路，微结构物理研究所档案里有80年代实验记录，科学家用真空环境测镜面，逐步调层厚。俄罗斯现在建新厂，2026年第一阶段机出炉，或许验证想法。如果成功，对全球是选项，尤其对受限国家。比中国快？这得看执行。中国在2025年有突破报道，如自家EUV机切断ASML依赖，但细节模糊。俄罗斯路线图具体，时间节点清，但风险高。

总的说，俄罗斯握着EUV核心件，如多层镜和光源技术，觉得能加速。但中国体量大，资源多，谁先落地还得观察。俄罗斯从350纳米起步，跳级难，但有针对性。国际上看，这竞争推动创新，打破垄断。